公开(公告)号：CN105940684A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201580005865.X

申请日：2015-01-21

Applicant: 奥林巴斯株式会社

Inventor： 盐谷浩一 ,  伊藤宽

IPC: H04R17/10 ,  A61B18/00 ,  B06B1/06 ,  H01L41/053 ,  H01L41/083 ,  H01L41/09 ,  H01L41/277 ,  H04R17/00 ,  H04R31/00

CPC classification number: A61N7/00 ,  A61B2017/00526 ,  A61B2017/320093 ,  A61B2017/320094 ,  A61B2018/00607 ,  B06B1/0611 ,  B23K20/10 ,  B32B7/12 ,  B32B9/005 ,  B32B15/04 ,  B32B37/18 ,  B32B2307/20 ,  B32B2311/18 ,  B32B2315/02 ,  B32B2535/00 ,  H01L41/083 ,  H01L41/0986 ,  H01L41/277 ,  H01L41/33

Abstract: 层叠型超声波振动器件(2)具有：层叠压电体单元(75)，其层叠多个压电体(61)和多个电极层(62、63)而使它们一体化；第一接合材料(73)，其对多个压电体(61)进行接合，在比多个压电体(61)的居里温度的一半低的第一接合温度下融化；以及第二接合材料(76)，其对层叠压电体单元(75)和两个质量块部件(42、43)进行接合，在比第一接合温度低且比驱动时的最大温度高的第二接合温度下融化。

公开(公告)号：CN1839473A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200480024004.8

申请日：2004-08-25

Applicant: 株式会社藤仓 ,  奥林巴斯株式会社

Inventor： 山本敏 ,  末益龙夫 ,  平船优香 ,  矶川俊彦 ,  盐谷浩一 ,  松本一哉

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体封装体具有：半导体元件，其在半导体基片的一个面设有电路元件；外部布线区，其设于上述半导体基片的另一个面；支撑基片，其配置于上述半导体基片的一个面；电极焊盘，其配置于上述半导体基片的一个面；以及贯通电极，其从上述电极焊盘到达上述半导体基片的另一个面。