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公开(公告)号：CN112289939B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202010692173.X
申请日：2020-07-17
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 恩里科·安焦尼 , 蒂姆·米迦勒·斯米顿
IPC: H10K50/115 , H10K50/155 , H10K50/165 , H10K71/12 , H10K71/15 , H10K71/16
Abstract: 一种发光器件，包括整合式电荷传输与发射层(CCTEL)。发光器件包括阳极，阴极以及设置在阳极和阴极之间的CCTEL，该CCTEL包括交联的电荷传输材料和量子点。所述量子点在所述交联的电荷传输材料中不均匀地分布。量子点可以从交联的电荷传输材料相分，由此量子点形成至少部分在CCTEL内的层，且在CCTEL的最靠近阴极或阳极的外表面处或附近。随着溶剂中包括交联材料和量子点的混合物在溶剂中的沉积，量子点可以至少部分地从交联材料相分。量子点可以至少部分地响应于激活刺激，例如曝光于UV光，而与交联材料相分。
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公开(公告)号：CN113112954B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202110012839.7
申请日：2021-01-06
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 陆彤 , M·J·布朗洛 , 蒂姆·米迦勒·斯米顿
IPC: G09G3/3208 , G09G3/3225
Abstract: 一种用于显示设备的像素电路，最小化一个水平时间，同时保持对驱动晶体管的阈值电压的精确补偿，并进一步考虑电压电源的任何变化。像素电路包括第一驱动晶体管，被配置为根据施加到第一驱动晶体管的栅极和第一端子的电压来控制在发光阶段期间流向发光器件的电流量；以及第二驱动晶体管，被配置为源极跟随器，其中第二驱动晶体管的第一端子连接到第一电源线，并且第二驱动晶体管的第二端子连接到第一驱动晶体管的第一端子。第一驱动晶体管是p型或n型晶体管中的一种，并且第二驱动晶体管是p型或n型晶体管中的另一种。发光器件在发光阶段在第一端子处电连接到第一驱动晶体管的第二端子，并且在第二端子处电连接到第二电源线。
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公开(公告)号：CN113903868B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202110674036.8
申请日：2021-06-17
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 大卫·詹姆斯·蒙哥马利 , 蒂姆·米迦勒·斯米顿
IPC: H10K50/856 , H10K50/11 , H10K59/122 , H10K59/35
Abstract: 一种发光结构，包括围绕基板上的子像素堆叠的堤部、子像素堆叠上方的内部空间中的第一填充材料以及第一填充材料上方的第二填充材料。子像素堆叠沿着基本上垂直于子像素堆叠的顶表面的轴上方向透过第一和第二填充材料之间的界面发射第一发射峰。子像素堆叠沿离轴方向发射第二发射峰，该第二发射峰在到达斜坡的倾斜侧壁之前被界面全内反射，然后沿离轴方向发射。子像素堆叠的发光区域被配置成使得第二发射峰在到达倾斜侧壁之前被界面反射不多于一次。
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公开(公告)号：CN115458694A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210580973.1
申请日：2022-05-25
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 爱德华·安德鲁·伯尔德曼 , 恩里科·安焦尼 , 蒂姆·米迦勒·斯米顿
Abstract: 量子点LED显示设备包括基板，其上设置有多个堤。多个红色发光LED子像素、绿色发光LED子像素及蓝色发光LED子像素被单独地设置在所述堤之间。所述红色发光LED子像素、所述绿色发光LED子像素及所述蓝色发光LED子像素的每一个均具有发光层，其中，所述发光层的每一个包括量子点、有机基质和光引发剂。蓝色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第一浓度低于红色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第二浓度，并低于绿色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第三浓度。
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公开(公告)号：CN113497204A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110272512.3
申请日：2021-03-12
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 大卫·詹姆斯·蒙哥马利 , 蒂姆·米迦勒·斯米顿
Abstract: 一种光发射结构包括：基板、所述基板的表面上方的子像素堆栈以及所述基板上包围所述子像素堆栈的堤。所述光发射结构还包括：内部空间中的第一填充材料，和所述第一填充材料上方的第二填充材料。所述子像素堆栈沿着基本垂直于所述堆栈的顶面的在轴方向发射第一发射峰，并且沿着与所述在轴方向成一角度的离轴方向发射第二发射峰。所述第一发射峰是在基本上没有全内反射的情况下经过所述第一填充材料和所述第二填充材料之间的界面发射的。所述第二个发射峰被所述界面完全内部反射之后到达所述堤的倾斜侧壁，并且沿着所述在轴方向发射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112289940A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010692210.7
申请日：2020-07-17
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 大卫·詹姆斯·蒙哥马利 , 爱德华·安德鲁·伯尔德曼 , 蒂姆·米迦勒·斯米顿
Abstract: 一种发光层结构，通过改变由反射电极引入的相位偏移，最大限度地增加对光发射的相长干涉。发光层结构包括第一和第二光腔，所述第一和第二光腔包括第一和第二反射电极；第一和第二部分透明电极；以及设置在第一和第二反射电极与第一和第二部分透明电极之间的第一和第二发射层(EML)，其中，第一EML发射具有第一波长的光；其中，第一反射电极根据第一波长在第一EML发射的光的反射上引入第一相位偏移；其中，第二EML发射具有第二波长的光，并且第二反射电极根据第二波长在第二EML发射的光的反射上引入第二相位偏移，并且第一相位偏移与第二相位偏移不同。
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公开(公告)号：CN113497204B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202110272512.3
申请日：2021-03-12
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 大卫·詹姆斯·蒙哥马利 , 蒂姆·米迦勒·斯米顿
IPC: H10K59/121 , H10K59/122 , H10K59/123 , H10K59/131 , H10K50/844
Abstract: 一种光发射结构包括：基板、所述基板的表面上方的子像素堆栈以及所述基板上包围所述子像素堆栈的堤。所述光发射结构还包括：内部空间中的第一填充材料，和所述第一填充材料上方的第二填充材料。所述子像素堆栈沿着基本垂直于所述堆栈的顶面的在轴方向发射第一发射峰，并且沿着与所述在轴方向成一角度的离轴方向发射第二发射峰。所述第一发射峰是在基本上没有全内反射的情况下经过所述第一填充材料和所述第二填充材料之间的界面发射的。所述第二个发射峰被所述界面完全内部反射之后到达所述堤的倾斜侧壁，并且沿着所述在轴方向发射。
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公开(公告)号：CN114333571A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111134447.4
申请日：2021-09-27
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 爱德华·安德鲁·伯尔德曼 , 蒂姆·米迦勒·斯米顿
Abstract: 一种用于折叠平面显示器的减震显示面板装置，该减震装置包括平面显示层，包括观看表面和相对的非观看表面，该显示层还包括至少一个折叠区域和至少一个非观看面，用于沿着至少一个旋转轴折叠的折叠区域；减震器，与显示层外围轮廓的共面，所述减震器具有将所述减震器划分成物理上分开的区域的至少一个第一间断；以及粘合剂层，其设置在所述减震器和所述非观看表面之间；并且，所述粘合剂层在所述显示层的所述至少一个折叠区域中的所述减震器和所述显示面板之间具有至少一个第二间断。
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公开(公告)号：CN113903868A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202110674036.8
申请日：2021-06-17
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 大卫·詹姆斯·蒙哥马利 , 蒂姆·米迦勒·斯米顿
Abstract: 一种发光结构，包括围绕基板上的子像素堆叠的堤部、子像素堆叠上方的内部空间中的第一填充材料以及第一填充材料上方的第二填充材料。子像素堆叠沿着基本上垂直于子像素堆叠的顶表面的轴上方向透过第一和第二填充材料之间的界面发射第一发射峰。子像素堆叠沿离轴方向发射第二发射峰，该第二发射峰在到达斜坡的倾斜侧壁之前被界面全内反射，然后沿离轴方向发射。子像素堆叠的发光区域被配置成使得第二发射峰在到达倾斜侧壁之前被界面反射不多于一次。
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公开(公告)号：CN113206207A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110034902.7
申请日：2021-01-12
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 大卫·詹姆斯·蒙哥马利 , 蒂姆·米迦勒·斯米顿
Abstract: 发光装置通过沿着堤结构采用反射光学腔改善光提取以具有增强的光输出。该发光装置包括：堤结构；发射腔，设置在该堤结构内；填充材料层，设置在该堤结构内并且位于该发射腔的发光侧上；以及反射光学腔，沿着该堤结构面向该填充材料层的内表面设置。该反射光学腔被配置为将被该填充材料层的发光侧表面内反射并入射到该反射光学腔上的光外耦合。反射光学腔包括由非导电电介质层分开的第一导电层和第二导电层。第一导电层抵靠堤构造的内表面配置，第二导电层抵靠与堤结构的内表面相对的填充材料层设置。发射腔包括设置在第一电极层和第二电极层之间的发光层，第一导电层配置为第一电极层的延伸部，第二导电层配置为第二电极层的延伸部。
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