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公开(公告)号：CN108899389A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810628308.9
申请日：2018-06-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/028
Abstract: 本发明属于探测器芯片技术领域，具体为一种石墨烯基紫外至近红外InGaAs探测器芯片。本发明InGaAs探测器芯片在其磷化铟（InP）衬底之上结构依次为：InP接触层、InGaAs吸收层、氧化硅（SiO2）介质层、石墨烯层、上金属电极和下金属电极。本发明一方面石墨烯展现良好的半金属特性，与InGaAs层接触能够形成肖特基光电二极管，实现光探测；另一方面石墨烯的光学透过性都极好，能够增加InGaAs层材料的光吸收；此外，InGaAs材料能够吸收1.7µm至紫外波段的光，所以该InGaAs探测器能够实现紫外至近红外的宽光谱探测。
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