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公开(公告)号：CN117843040A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311782336.3
申请日：2023-12-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Fe或Ni掺杂的花生状Co9S8材料及其制备和应用，该材料通过便捷的水热反应‑氢氩还原反应所得，首先水热后呈微米空心花生状，表面由明显鳞片状结构成。其次通过氢氩还原成功合成纯相Co9S8，表面片状进一步结晶变得紧密的同时花生状结构得到了完美的保留；进一步的，对前体硫化物进行阳离子掺杂，可以得到完整的花生状Fe和Ni掺杂Co9S8。由于不同阳离子对材料的介电、晶格畸变有显著影响，从而提高了花生状硫化物介电损耗能力；同时，本发明制备得到的Ni掺杂花生状Co9S8在1.6mm时的有效吸收带宽可以达到6GHz,Fe掺杂花生状Co9S8在1.5mm时最大反射损耗为‑46.2dB，均在Ku波段(12‑18GHz)频率范围内能实现微波全吸收，展现出优异的电磁波损耗能力。
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公开(公告)号：CN115520901B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202211057202.0
申请日：2022-08-30
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种中空碳棒复合四氧化三铁核‑壳材料及其制备和应用。中空碳棒复合四氧化三铁核‑壳材料包括立方体状四氧化三铁内核和在内核的平面上垂直生长的中空碳棒外壳，且内核与外壳构成具有纳米天线形状的蛋黄‑壳结构。本发明采用立方体状的氧化铁为模板，通过界面作用调控其氧化铁表面能，在立方体的六个平面上选择生长不同数量(0根、1根、2‑3根、4‑5根、6根)的二氧化硅棒，经过反应得到具有中空结构的纳米天线状的材料。本发明采用新型的水‑油界面能调控法，控制材料的多支状形貌，从而调控介电、磁性能，在厚度为3mm时，能实现3.0‑6.0GHz频率范围内的吸收效率达到68.4％以上，在低频吸收领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115520901A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211057202.0
申请日：2022-08-30
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种中空碳棒复合四氧化三铁核‑壳材料及其制备和应用。中空碳棒复合四氧化三铁核‑壳材料包括立方体状四氧化三铁内核和在内核的平面上垂直生长的中空碳棒外壳，且内核与外壳构成具有纳米天线形状的蛋黄‑壳结构。本发明采用立方体状的氧化铁为模板，通过界面作用调控其氧化铁表面能，在立方体的六个平面上选择生长不同数量(0根、1根、2‑3根、4‑5根、6根)的二氧化硅棒，经过反应得到具有中空结构的纳米天线状的材料。本发明采用新型的水‑油界面能调控法，控制材料的多支状形貌，从而调控介电、磁性能，在厚度为3mm时，能实现3.0‑6.0GHz频率范围内的吸收效率达到68.4％以上，在低频吸收领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115504778A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211188071.X
申请日：2022-09-28
Applicant: 复旦大学
IPC: C04B35/34 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种钴基高熵陶瓷及其制备方法与应用，所述钴基高熵陶瓷具有的化学式为(Fe0.2Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2)O/Co2O4，具有尖晶石型和岩盐型晶体结构，所述钴基高熵陶瓷以FeO、CoO、NiO、CuO、ZnO、Co2O3作为原料进行压制煅烧而成。与现有技术相比，本发明提供的一种钴基高熵陶瓷具有纯度高、吸波性能强、吸收频带宽等优点，经测试模拟表明制备得到的高熵陶瓷的最小反射损耗值为‑34.13dB，可广泛应用于电磁体吸波材料。
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公开(公告)号：CN115415522A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211210454.2
申请日：2022-09-30
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种多壳层多孔铁钴合金及其制备方法和应用，通过喷雾干燥与后续热处理的方式，以硝酸钴和硝酸铁作为原料制备得到多壳层多孔铁钴合金，该多壳层多孔铁钴合的粒径为1‑5μm，壳层间距为200nm，壳层数为1‑3层，壳表面具有孔径为6nm的介孔。与现有技术相比，本发明具优异的磁学特性和高频磁特性以及实际应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119943634A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411907826.6
申请日：2024-12-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种基于磁密封的惰性气氛转移透射电镜样品杆，包括：具有第一空腔的手握把；与所述手握把相连并具有沿轴向的第二空腔的外杆，所述第二空腔与所述第一空腔相连通；滑动设置在所述第二空腔中的内芯；分别安装在内芯的前后两端的样品载台与内磁件，所述内磁件置于所述第一空腔内，所述样品载台用于安放被测样品；以及能沿所述手握把外部移动并与所述内磁件产生磁吸力的外磁件；当所述样品载台随内芯滑动伸入所述第二空腔时，所述样品载台的前端能与所述外杆的前端密封接触，使得所述第一空腔和第二空腔形成密封环境。与现有技术相比，本发明集成了样品装载、精密磁力伸缩及全面密封，实现了样品从制样到完全密封状态下的稳定转移以及即时显微分析，尤其适用于高活性样品的可控气氛操作。
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公开(公告)号：CN117845139A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311793202.1
申请日：2023-12-25
Applicant: 复旦大学
IPC: C22C38/10 , H05K9/00 , C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/624 , B22F1/12 , B22F3/10
Abstract: 本发明涉及一种基于脱溶法的W型钡钴铁氧体/钴铁合金材料及其制备和应用，该制备方法包括以下步骤：(1)将钡源、钴源、铁源、锌源和聚乙烯吡咯烷酮混合均匀，冻干得到前驱体粉末；(2)将前驱体粉末烧结，得到主相为BaZn2–xCoxFe16O27的W型钡锌钴铁氧体；(3)将W型钡锌钴铁氧体在氢氩气氛下进行可控还原脱溶，得到W型钡锌钴铁氧体/钴铁合金(BaZn2–xCoxFe16O27/CoFe)材料，即为目标产物。本发明将原本具有不同本征共振峰值的材料合成为一个复合体系，从而获得在低频微波(2～8GHz)波段具有强共振吸波特性的复合吸波材料，整体制备工艺简单，工业化应用性佳，可广泛应用于相应的电磁吸收以及微波隐身领域。
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公开(公告)号：CN117030755A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311252525.X
申请日：2023-09-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20008 , G01N23/20033
Abstract: 本发明涉及一种在透射电子显微镜中施加原位温度梯度场的方法，包括以下步骤：(1)将装载待测微纳样品的测试芯片与原位样品杆固定，并使得待测微纳样品与样品杆形成通路；(2)将原位样品杆插入透射电子显微镜中，并连接外加直流源；(3)往测试芯片中通入预设好的直流电流，形成焦耳热并热传导至待测微纳样品上，即实现对待测微纳样品施加原位温度梯度场。与现有技术相比，本发明实现了在透射电子显微镜原位测试平台中，对待测样品施加温度梯度场，具有加工简单，升温度范围广，可实时、实空间观察等优点。
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公开(公告)号：CN115504778B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202211188071.X
申请日：2022-09-28
Applicant: 复旦大学
IPC: C04B35/34 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种钴基高熵陶瓷及其制备方法与应用，所述钴基高熵陶瓷具有的化学式为(Fe0.2Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2)O/Co2O4，具有尖晶石型和岩盐型晶体结构，所述钴基高熵陶瓷以FeO、CoO、NiO、CuO、ZnO、Co2O3作为原料进行压制煅烧而成。与现有技术相比，本发明提供的一种钴基高熵陶瓷具有纯度高、吸波性能强、吸收频带宽等优点，经测试模拟表明制备得到的高熵陶瓷的最小反射损耗值为‑34.13dB，可广泛应用于电磁体吸波材料。
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公开(公告)号：CN116288127A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211587682.1
申请日：2022-12-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及热喷涂用抗氧化纳米磁性合金@SiO2/玻璃复合吸波涂层及其制备和应用，通过采用不同熔程的玻璃粉料来调控热喷涂的功率，从而改善纳米磁性合金粉末的抗氧化性；通过采用不同的球料比和球磨转速、时间来调控玻璃粉料的粉料粒径，从而改善浆料的流动性以及涂层的力学性能；通过采用一步化学包覆来调控纳米磁性合金与玻璃粉料的润湿情况，从而进一步改善其抗氧化性和涂层力学性能等。本发明工艺操作简单，易于进行大批量生产，解决磁性吸波剂由于扁平化易于形成导电网络而难以提升体积含量，以及纳米磁性吸波剂在热喷涂过程中易被氧化等问题。
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