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公开(公告)号：CN103682090B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210345623.3
申请日：2012-09-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及提供一种电阻型存储器（ReRAM）的制造方法以及电阻型存储器，属于电阻型存储器技术领域。该制造方法包括步骤：形成下电极层；在所述下电极层形成WOx介质层；用第一还原性气体对所述WOx介质层表面进行第一退火处理；在所述第一退火处理后的WOx介质层表面上形成Al电极；以及通过第二退火处理以使相互接触的部分所述WOx介质层与部分所述Al电极形成AlOx存储功能层；其中，1≤x≤3。通过该制造方法制备形成的电阻型存储器具有Forming电压小、数据保持特性好、Forming操作成功率高的特点。
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公开(公告)号：CN103681727B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201210347469.3
申请日：2012-09-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，涉及集成于集成电路的后端结构的双层结构电阻型存储器及其制备方法。该双层结构电阻型存储器集成在后端结构中，对用于形成垂直电极的通孔，通孔周围的介质层被部分地水平横向刻蚀以形成一个或多个水平沟槽，水平沟槽被用来定义形成存储功能层，所述存储功能层包含双层阻变材料层，并且在所述水平沟槽中依次形成用于形成双向二极管的金属内电极、半导体层、金属水平电极。该电阻型存储器实现了三维的堆叠排列、密度高、可靠性高、制备效率高、成本低、功耗低，并且可以适用于双极性电阻型存储器。
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公开(公告)号：CN103579280B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210285495.8
申请日：2012-08-10
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供一种电阻型存储器，属于电阻型存储器（Resistive Memory）技术领域。该电阻型存储器包括下电极、存储功能层以及上电极，其中，所述下电极被设置为嵌置于介质层中的碗状结构，并且碗状结构的下电极包括碗沿部分电极，所述碗沿部分电极被氧化形成所述存储功能层。该电阻型存储器具有功耗小、存储功能层中的金属元素不易扩散至介质层中、制备过程简单的优点。
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公开(公告)号：CN103579280A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210285495.8
申请日：2012-08-10
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供一种电阻型存储器，属于电阻型存储器（Resistive Memory）技术领域。该电阻型存储器包括下电极、存储功能层以及上电极，其中，所述下电极被设置为嵌置于介质层中的碗状结构，并且碗状结构的下电极包括碗沿部分电极，所述碗沿部分电极被氧化形成所述存储功能层。该电阻型存储器具有功耗小、存储功能层中的金属元素不易扩散至介质层中、制备过程简单的优点。
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