负电极材料及其制造方法
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102290574B

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201110165242.2

    申请日:2011-06-13

    Inventor: 后田伸

    CPC classification number: H01M4/5825 H01M10/052

    Abstract: 本发明涉及包含蒙皂石的硅酸盐负电极材料,其中当蒙皂石利用粉末x-射线衍射仪测量时,在其中2θ在7.45°~9.18°的范围内的情况下发现峰;本发明还涉及一种制造负电极材料的方法,该方法包括:烧制作为原料的蒙脱石以用作硅酸盐的蒙皂石的步骤,其中当蒙皂石利用粉末x-射线衍射仪测定时,在其中2θ为7.45°~9.18°的情况下存在峰。

    负电极材料及其制造方法
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102290574A

    公开(公告)日:2011-12-21

    申请号:CN201110165242.2

    申请日:2011-06-13

    Inventor: 后田伸

    CPC classification number: H01M4/5825 H01M10/052

    Abstract: 本发明涉及包含蒙皂石的硅酸盐负电极材料,其中当蒙皂石利用粉末x-射线衍射仪测量时,在其中2θ在7.45°~9.18°的范围内的情况下发现峰;本发明还涉及一种制造负电极材料的方法,该方法包括:烧制作为原料的蒙脱石以用作硅酸盐的蒙皂石的步骤,其中当蒙皂石利用粉末x-射线衍射仪测定时,在其中2θ为7.45°~9.18°的情况下存在峰。

Patent Agency Ranking