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公开(公告)号:CN114878471A
公开(公告)日:2022-08-09
申请号:CN202210497059.0
申请日:2022-05-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种测量放大受激发射特性的瞬时光谱系统,属时间分辨非线性光学光谱领域。本发明由泵浦激光产生及调节部分、扰动激光产生及调节部分、待测样品激发及信号收集部分组成,利用一束飞秒激光对光纤内溶液样品的一端或薄膜样品的一侧进行激发,另一束飞秒激光经过一定延迟时间在同方向辐照样品,对样品进行扰动,来探究能使样品产生放大受激发射的阈值条件以及各种扰动因素。本发明针对一些有潜力的手性材料进行研究,还有多种放大受激发射特性研究方法可以通过本系统实现,使用本系统能够更全面,更深刻得探究多样物质的放大受激发射特性。
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公开(公告)号:CN119666752B
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN202510192920.6
申请日:2025-02-21
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于双光子激发的载流子三维扩散显微成像系统,属于显微成像技术领域。按光的传播顺序,由波长可调飞秒光器、全自动光学参量放大器、第一消色差透镜、针孔、第二消色差透镜、第一光阑、第一全抛光反射镜、二维振镜、扫描透镜、套筒透镜、二向色镜、物镜、压电位移样品台、聚焦的白光光源、第二光阑、分束片、第三消色差透镜、第四消色差透镜、相机和探测器组成,MAPbI3或MAPbBr3晶体作为半导体样品被放置在高精度的压电位移样品台上。本发明通过旋转振镜不断改变样品表面激发光束的位置,利用探测器就可以探测从样品表面同一位置发射的荧光,从而获得样品在激发光束作用下其内部截流子的三维扩散过程信息,进而揭示其扩散规律。
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公开(公告)号:CN114878471B
公开(公告)日:2025-01-14
申请号:CN202210497059.0
申请日:2022-05-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种测量放大受激发射特性的瞬时光谱系统,属时间分辨非线性光学光谱领域。本发明由泵浦激光产生及调节部分、扰动激光产生及调节部分、待测样品激发及信号收集部分组成,利用一束飞秒激光对光纤内溶液样品的一端或薄膜样品的一侧进行激发,另一束飞秒激光经过一定延迟时间在同方向辐照样品,对样品进行扰动,来探究能使样品产生放大受激发射的阈值条件以及各种扰动因素。本发明针对一些有潜力的手性材料进行研究,还有多种放大受激发射特性研究方法可以通过本系统实现,使用本系统能够更全面,更深刻得探究多样物质的放大受激发射特性。
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公开(公告)号:CN116676082B
公开(公告)日:2024-09-27
申请号:CN202310614668.4
申请日:2023-05-29
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/66 , C09K11/02 , H10K50/115
Abstract: 本发明提供了一种极性配体重构量子点表面并实现高性能蓝光LEDs的方法,其特征是:它包括如下步骤:S1:合成制备量子点所需要的油酸铯前驱体溶液;S2:量子点的合成;S3:量子点的提纯;S4:LED器件的制备。该方法在不添加额外步骤的前提下,在提纯清洗过程中采用溴化铵盐对PeLED中的发光活性物质进行了原位的表面重构,通过修复纯化后受损的量子点表面降低了量子点表面的缺陷密度,实现了钙钛矿量子点光致发光产率的提升,也实现了蓝光钙钛矿量子点LEDs效率的改善。
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公开(公告)号:CN117586764A
公开(公告)日:2024-02-23
申请号:CN202311534331.9
申请日:2023-11-17
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种热稳定、疏水的表面富氟型蓝光钙钛矿量子点及其制备方法,属于发光显示技术领域。本发明通过在钙钛矿量子点中引入一种疏水性的富氟配体辅助其他结合力较强的配体进行协同修饰,对量子点进行包覆。第一种富氟配体可以构建量子点表面改善疏水特性,第二种配体可以提供稳定的表面,从而使得量子点具有较好的热稳定性。当两者同时包覆在钙钛矿量子点表面时,可以协同作用使得钙钛矿兼具两种配体带来的疏水性和稳定性优势,该量子点有70%以上的蓝光光致发光量子产率以及优良的稳定性。本发明旨在解决蓝光钙钛矿量子点水热稳定性差的问题,得到的蓝光钙钛矿量子点在蓝光电致发光LED器件和钙钛矿量子点太阳能电池中的应用。
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公开(公告)号:CN115498123A
公开(公告)日:2022-12-20
申请号:CN202211184239.X
申请日:2022-09-27
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了ODADBr原位钝化的钙钛矿量子点高效发光LED及其制备方法,采用ITO为阴极,PEDOT:PSS为空穴注入层,其厚度为40nm;Poly‑TPD为空穴传输层,其厚度为20nm;PMMA为界面修饰层,其厚度为5nm;原始与ODADBr原位钝化的CsPbBr3量子点为发光层,其厚度为15nm;TPBi为电子传输层,其厚度为50nm;LiF为电子注入层,其厚度为1nm;Al为阳极,其厚度为100nm,采用ODADBr钝化高温热注入合成的CsPbBr3量子点表面陷阱,减少量子点表面多余的Pb2+与VBr,从而提高材料的荧光寿命、发光强度以及荧光量子产率(PLQY),进而提高材料的稳定性,将其应用于LED中,可以实现高亮度、高纯度、高外量子效率和提高器件的工作寿命。
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