一种低温等离子体技术制备氧缺陷型钨酸铋光电极的方法

    公开(公告)号:CN110273165B

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN201910672865.5

    申请日:2019-07-24

    Applicant: 台州学院

    Abstract: 本发明涉及一种低温等离子体技术制备氧缺陷型钨酸铋光电极的方法,具体步骤为:通过水热法在FTO导电玻璃表面生长WO3纳米板,以WO3薄膜为牺牲模板,滴加硝酸铋的水溶液,干燥,高温煅烧,WO3和硝酸铋发生固相反应,制备出高结晶性的钨酸铋纳米片;后以空气、氧气、氮气或者氢气为反应性气体,采用低温等离子体技术对钨酸铋薄膜表面进行处理,通过等离子体的自由基引发钨酸铋薄膜表面的化学反应,在钨酸铋薄膜表面引入氧空位。本发明制备的氧缺陷型钨酸铋薄膜亲水性好,电导率高,界面电荷转移快,有效提升了水分解的氧化电流。低温等离子体技术处理钨酸铋薄膜工艺简单,时间短,能耗低,环境友好,适于大规模处理半导体光电极。

    一种等离子体处理制备表面羟基化WO3薄膜光电极材料的方法

    公开(公告)号:CN110241439B

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN201910673613.4

    申请日:2019-07-24

    Applicant: 台州学院

    Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理制备表面羟基化WO3薄膜光电极材料的方法,具体步骤为:先在FTO导电玻璃表面制备WO3晶种,然后以H2WO4的H2O2溶液、乙腈、草酸和盐酸溶液为原料,在WO3晶种表面水热生长纳米片状WO3;后采用低温等离子体技术对WO3薄膜电极表面进行处理,得到表面羟基化的WO3薄膜。本发明制备的表面羟基化WO3薄膜与水的润湿性好,体相载流子浓度增加,界面电荷转移加快,有效促进了光电催化水分解性能。并且,等离子体处理WO3薄膜工艺简单,节能环保,无公害,效率高,时间短,对大规模处理WO3光电极提供了一种重要途径。

    一种六角柱型WO3/Bi2WO6复合光电极薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN110565111B

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN201910672860.2

    申请日:2019-07-24

    Applicant: 台州学院

    Abstract: 本发明涉及一种六角柱型WO3/Bi2WO6复合光电极薄膜的制备方法,属于材料制备技术领域。制备的复合光电极形貌新颖,结构规整,光生载流子分离效率高,光电催化水分解性能优异,可实现可见光照下持续稳定产氢。该光阳极薄膜的制备方法主要包括以下步骤:以钨酸钠和草酸铵为前驱体,FTO导电玻璃为基底,水热反应一段时间,在FTO基底上原位生长出纳米板状WO3薄膜;以该薄膜为模板,在其表面滴加一定体积的硝酸铋的乙酸水溶液,高温煅烧,纳米板WO3薄膜自组装为六角柱型WO3/Bi2WO6复合薄膜。该复合光电极制备过程简单,条件可控,成本低廉,在未来能源领域具有广阔的应用前景。

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