-
公开(公告)号：CN205723580U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201620411546.0
申请日：2016-05-09
Applicant: 厦门市计量检定测试院 , 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/0288
Abstract: 本实用新型公开了一种Si基Ge混合型波导光电探测器，包括波导和锗探测器；所述的波导与锗探测器耦合；所述的波导采用大截面SOI脊型波导，锗探测器采用PIN结构。由于本实用新型采用大截面的SOI脊型波导，以减少光纤和波导的耦合损耗，入射光既能通过端面直接耦合到Ge器件，又能通过垂直耦合从SOI波导耦合到Ge，以提高耦合效率，锗探测器采用PIN结构，在硅层以及锗层的顶端有不同性质的参杂，以形成一个垂直的P‑I‑N结。
Search Results
11
records
(took 0.013 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
