公开(公告)号：CN100454538C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200510005952.3

申请日：2005-01-31

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 佐佐木和广 ,  松本广 ,  角忍

IPC: H01L27/00 ,  H01L31/10 ,  H01L21/77 ,  H04N1/00

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明提供一种晶体管阵列和利用它的图像处理器件，在单一的绝缘性衬底上设置了多个晶体管，具有：利用由多晶硅构成的第1半导体层形成的多个多晶硅薄膜晶体管，形成在上述衬底上；多个具有非晶硅薄膜晶体管结构的功能元件，利用由非晶硅构成的第2半导体层形成，上述第2半导体层形成在上述第1半导体层的上层侧。在此，上述多晶硅薄膜晶体管及上述功能元件分别具有由导电体层构成的多个电极层，例如，上述功能元件的至少任何一个上述电极层与上述多晶硅薄膜晶体管的任何一个上述电极层设置在同一层中。

公开(公告)号：CN1649152A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510005952.3

申请日：2005-01-31

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 佐佐木和广 ,  松本广 ,  角忍

IPC: H01L27/00 ,  H01L31/10 ,  H01L21/77 ,  H04N1/00

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明提供一种晶体管阵列和利用它的图像处理器件，在单一的绝缘性衬底上设置了多个晶体管，具有：利用由多晶硅构成的第1半导体层形成的多个多晶硅薄膜晶体管，形成在上述衬底上；多个具有非晶硅薄膜晶体管结构的功能元件，利用由非晶硅构成的第2半导体层形成，上述第2半导体层形成在上述第1半导体层的上层侧。在此，上述多晶硅薄膜晶体管及上述功能元件分别具有由导电体层构成的多个电极层，例如，上述功能元件的至少任何一个上述电极层与上述多晶硅薄膜晶体管的任何一个上述电极层设置在同一层中。