公开(公告)号：CN112711383A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202011643848.8

申请日：2020-12-30

Applicant: 浙江大学 ,  南方电网数字电网研究院有限公司

Inventor： 杜俊慧 ,  黄凯 ,  李鹏 ,  习伟 ,  陈军健 ,  蒋小文 ,  王轲 ,  于杨 ,  张铖洪 ,  徐文渊 ,  彭勇刚 ,  刘智力

IPC: G06F3/06 ,  G06F12/02 ,  G06F12/0862 ,  G06F13/16

Abstract: 本发明属于存储器控制领域，涉及用于电力芯片的非易失性存储读取加速方法，通过行长自适应缓存加速处理器从Flash读取指令和跨步预取加速处理器从Flash读取数据，其中所述通过行长自适应缓存加速处理器从Flash读取指令包括：对处理器发起的取指请求，根据缓存命中和缺失判断，进行缓存行填充并重构缓存行长，向Flash发起读取指令请求；所述通过跨步预取加速处理器从Flash读取数据包括：对处理器发起的取数请求，根据缓冲寄存器命中和缺失的判断和跨步预取使能位的有效情况，向Flash发起读取数据请求。本发明硬件开销小，提高了处理器从Flash中读取指令和数据的速度，同时降低了访问功耗。

公开(公告)号：CN112083882A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010921042.4

申请日：2020-09-04

Applicant: 南方电网数字电网研究院有限公司 ,  南方电网科学研究院有限责任公司 ,  浙江大学

Inventor： 李鹏 ,  李立浧 ,  于杨 ,  姚浩 ,  习伟 ,  匡晓云 ,  杨祎巍 ,  黄开天 ,  黄凯 ,  井铭 ,  蒋小文 ,  陈伟祥

IPC: G06F3/06 ,  G06F11/00 ,  G06F11/07 ,  G06F12/02

Abstract: 本申请涉及存储器技术领域，提供了一种SRAM坏点处理方法、系统、装置、计算机设备和存储介质。该方法包括：通过接收数据访问模块获得的针对SRAM的访问地址，与CPU扫描后在信息寄存器中存储的坏点地址进行匹配，得到访问地址匹配的目标坏点地址，获取与目标坏点地址对应的数据寄存器，从中读写对应的数据内容。本申请提供的方案，将CPU扫描到的坏点地址存储在信息寄存器，并预先为各个坏点地址配置对应的数据寄存器用于存储坏点地址对应的数据内容，使得在SRAM使用过程中，可以对SRAM的坏点情况进行动态管理，通过数据寄存器实现坏点地址对应的SRAM数据内容的读写，实现了对SRAM坏点的替换操作，提高了SRAM坏点管理的效率，并进一步提高了SRAM的可靠性。

公开(公告)号：CN112083791A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010969527.0

申请日：2020-09-15

Applicant: 南方电网数字电网研究院有限公司 ,  南方电网科学研究院有限责任公司 ,  浙江大学

Inventor： 李鹏 ,  李立浧 ,  于杨 ,  姚浩 ,  习伟 ,  匡晓云 ,  杨祎巍 ,  黄开天 ,  黄凯 ,  井铭 ,  蒋小文 ,  陈伟祥

IPC: G06F1/3234 ,  G06F1/3237 ,  G06F1/3287

Abstract: 本申请涉及一种芯片功耗优化方法、装置、计算机设备和存储介质。采用本申请能够完成了芯片功耗优化的自动管理过程，且能够进一步节省功耗。该方法包括：通过将唤醒模式指令和掉电模式指令分别存储于唤醒模式寄存器和掉电模式寄存器中，响应于上述掉电模式指令，触发掉电使能寄存器启动掉电流程并在掉电流程中控制由上述掉电模式指令指定的电源域进入低功耗模式；接收上述唤醒源信息对应的唤醒源产生的唤醒信号；若该唤醒信号为有效唤醒信号，则控制由上述唤醒模式指令指定的电源域进入上述电源开关模式。