一种皇冠型可调控的等离子体超材料宽带吸波器

    公开(公告)号:CN108183338A

    公开(公告)日:2018-06-19

    申请号:CN201810017478.3

    申请日:2018-01-09

    Abstract: 本发明公开了一种皇冠型可调控的等离子体超材料宽带吸波器,其结构包括底层金属反射板以及底层金属反射板上方的介质基板和固态等离子体谐振单元。固态等离子体谐振单元有两种工作状态,激励状态和未激励状态。该等离子体超材料宽带吸波器对于TE极化波和TM极化波都有很好的吸收效果,并通过编程方式控制固态等离子体构成的谐振单元的激励区域不但能实现对不同谐振单元的激励,从而达到对吸波器不同频率动态调控的目的,实现吸波器的宽带吸收,而且该吸波器的工作频率在激励区域选择合适的情况下能够覆盖整个X波段。

    一种基于等离子体超材料的多功能空间波束编译器

    公开(公告)号:CN108493619B

    公开(公告)日:2020-05-15

    申请号:CN201810194009.9

    申请日:2018-03-09

    Abstract: 本发明涉及一种基于等离子体超材料的多功能空间波束编译器,其结构包括反射板及其上方的介质基板,和介质基板上的固态等离子体谐振单元,固态等离子体谐振单元中加载了集总电阻。固态等离子体由PIN单元组成的阵列实现,PIN单元之间有隔离层进行隔离,通过其两端加载的可编程逻辑阵列来控制激励。该编译器对于TE波和TM波都有很好的吸收,当通过编程方式控制固态等离子体构成的谐振单元的激励区域能实现对不同谐振单元的激励,还能实现此编译器对电磁波的超宽带吸收,进而实现编译器对空间波束的编译功能。还可以在较小的物理尺寸下实现对较低频率电磁波的吸收,并且通过激励不同的等离子体区域实现此编译器对空间波束的编译功能。

    一种基于腔体谐振和集总元件的带宽展宽的吸波器

    公开(公告)号:CN109088171B

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN201810883702.7

    申请日:2018-08-06

    Abstract: 本发明公开了一种基于腔体谐振和集总元件的带宽展宽的吸波器,其结构包括底层金属反射板,金属板上方的介质基板,和介质基板上的固态等离子体谐振单元,谐振单元之间通过电阻连接,以及介质基板中插入的空气柱。该吸波器对于TE极化波和TM极化波都有很好的吸收效果,并通过编程方式控制固态等离子体构成的谐振单元的激励区域不但能实现对不同谐振单元的激励,达到对吸波器不同频率动态调控的目的,而且该吸波器的工作频率在激励区域选择合适的情况下能够覆盖多个波段,还可以在较小的物理尺寸下实现对较低频率电磁波的吸收,该吸波器具有结构通俗,可编程调控,设计灵活,功能性强等特点。

    基于等离子体超材料可调控的窄带吸波器

    公开(公告)号:CN107978870A

    公开(公告)日:2018-05-01

    申请号:CN201711111749.3

    申请日:2017-11-13

    Abstract: 本发明公开了一种基于等离子体超材料可调控的窄带吸波器,包括底层金属反射板,以及金属板上方的介质基板和固态等离子体谐振单元,固态等离子体由PIN单元组成的阵列实现,PIN单元之间有隔离层进行隔离,通过其两端加载的可编程逻辑阵列来控制激励PIN单元阵列,以便得到固态等离子体。固态等离子体谐振单元有两种工作状态,激励状态和未激励状态。该吸波器对于TE极化波有很好的吸收效果,并通过编程方式控制固态等离子体构成的谐振单元的激励区域不但能实现对不同谐振单元的激励,从而达到对吸波器高频段的高吸收率的保持和低频段吸收率逐步优化的动态调控的目的,而且该吸波器的工作频率在激励区域选择合适的情况下能够更高效的覆盖整个X波段。

    一种基于光控开关的宽带超材料太赫兹吸波器

    公开(公告)号:CN109193175B

    公开(公告)日:2021-08-03

    申请号:CN201811054653.2

    申请日:2018-09-11

    Inventor: 章海锋 杨靖 张浩

    Abstract: 本发明提出了一种基于光控开关的宽带超材料太赫兹吸波器,包括底层金属反射板及其上方的介质基板,所述介质基板上贴覆有周期性结构单元,所述周期性结构单元由光控半导体硅贴片及金属贴片构成,包括位于介质基板中央的双臂螺旋结构及沿介质基板四周均匀对称分布的双Y形条状结构。该吸波器在TE波和TM波下均有很好的吸收效果,不同的电导率代表不同水平的光激发,所以当调节表面光控半导体硅的电导率可以对其吸收效果进行有效的调节,进而使其吸收率在90%以上的吸收频域几乎覆盖整个THz波段。本发明还具有结构简单,功能性强,吸收带宽极宽等特点。

    一种基于液态金属的重力场可调谐超宽带吸波器

    公开(公告)号:CN110212308B

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN201910499848.6

    申请日:2019-06-11

    Inventor: 章海锋 张浩 杨靖

    Abstract: 本发明公开了一种基于液态金属的重力场可调谐超宽带吸波器,其结构包括底层金属反射板,以及金属板上方的多层结构,所述多层结构,包括两层介质基板、每层介质基板上方涂覆有高阻表面的谐振单元以及每层谐振单元上方的玻璃容器。容器之间通过圆柱玻璃腔连接,且各容器可容纳液体体积和液态金属体积相等。该吸波器对于TE极化波和TM极化波都有很好的吸收效果,通过在介质基板上方的谐振单元涂覆高阻表面,可以实现吸波器的超宽带吸收,并通过翻转该吸波器,在重力场的作用下,液态金属汞在容器内会发生转移从而形成不同的谐振单元,从而实现吸波器吸收频域的动态调控,工作频域可动态覆盖多个工作频段。该吸波器具有频带覆盖范围宽,应用范围广,调控手段便捷,设计灵活,功能性强等特点。

    基于等离子体超材料可调控的窄带吸波器

    公开(公告)号:CN107978870B

    公开(公告)日:2020-02-18

    申请号:CN201711111749.3

    申请日:2017-11-13

    Abstract: 本发明公开了一种基于等离子体超材料可调控的窄带吸波器,包括底层金属反射板,以及金属板上方的介质基板和固态等离子体谐振单元,固态等离子体由PIN单元组成的阵列实现,PIN单元之间有隔离层进行隔离,通过其两端加载的可编程逻辑阵列来控制激励PIN单元阵列,以便得到固态等离子体。固态等离子体谐振单元有两种工作状态,激励状态和未激励状态。该吸波器对于TE极化波有很好的吸收效果,并通过编程方式控制固态等离子体构成的谐振单元的激励区域不但能实现对不同谐振单元的激励,从而达到对吸波器高频段的高吸收率的保持和低频段吸收率逐步优化的动态调控的目的,而且该吸波器的工作频率在激励区域选择合适的情况下能够更高效的覆盖整个X波段。

    一种基于多种介质材料的可调谐超材料吸波器

    公开(公告)号:CN110048238A

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201910379117.8

    申请日:2019-05-08

    Abstract: 本发明公开一种基于多种介质材料的可调谐超材料吸波器,其结构包括底层金属反射板,以及金属板上方的多层结构,所述多层结构包括三层介质基板以及每层介质基板上方的谐振单元,第一层和第三层介质基板上方是涂覆有高阻表面的谐振单元,第二层介质基板上方是固态等离子体谐振单元。固态等离子体谐振单元有两种工作状态,激励状态和未激励状态。该吸波器对于TE极化波和TM极化波都有很好的吸收效果,通过在第一层和第三层介质基板上方的谐振单元涂覆高阻表面,可以实现吸波器的超宽带吸收,并通过编程方式控制固态等离子体构成的谐振单元的激励区域能实现对不同谐振单元的激励,从而实现吸波器的可调谐吸收。

    一种多层环形太赫兹超材料吸波器

    公开(公告)号:CN109830809A

    公开(公告)日:2019-05-31

    申请号:CN201910128638.6

    申请日:2019-02-21

    Abstract: 本发明公开一种多层环形太赫兹超材料吸波器,其结构包括底层金属反射板,以及金属板上方的多层结构,其特征在于:所述多层结构,包括三层介质基板及每层介质基板上方的谐振单元,谐振单元上涂覆有高阻表面。该吸波器对于TE极化波和TM极化波都有很好的吸收效果,通过在每层介质基板上的谐振单元涂覆高阻表面,可以实现吸波器在太赫兹波段的超宽带吸收,本发明通过在介质基板上的谐振单元涂覆高阻表面,避免了金属欧姆损耗和热损耗,使之更适合于工作在光波和太赫兹波段。本发明具有结构通俗,设计灵活,功能性强等特点。

    一种基于光控开关的宽带超材料太赫兹吸波器

    公开(公告)号:CN109193175A

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201811054653.2

    申请日:2018-09-11

    Inventor: 章海锋 杨靖 张浩

    Abstract: 本发明提出了一种基于光控开关的宽带超材料太赫兹吸波器,包括底层金属反射板及其上方的介质基板,所述介质基板上贴覆有周期性结构单元,所述周期性结构单元由光控半导体硅贴片及金属贴片构成,包括位于介质基板中央的双臂螺旋结构及沿介质基板四周均匀对称分布的双Y形条状结构。该吸波器在TE波和TM波下均有很好的吸收效果,不同的电导率代表不同水平的光激发,所以当调节表面光控半导体硅的电导率可以对其吸收效果进行有效的调节,进而使其吸收率在90%以上的吸收频域几乎覆盖整个THz波段。本发明还具有结构简单,功能性强,吸收带宽极宽等特点。

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