基于多层包覆的X射线成像用高稳定卤素钙钛矿量子点薄膜的合成方法

    公开(公告)号:CN110129028A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910535902.8

    申请日:2019-06-20

    Abstract: 本发明公开了一种基于多层包覆的X射线成像用高稳定卤素钙钛矿量子点薄膜的合成方法,属于无机半导体发光材料的制备技术领域。所述合成方法包括如下步骤:配制Cs(OA)前驱体溶液,将溴化铅、十八稀、油酸和3-氨基丙基三乙氧基硅烷反应至得到澄清溶液;将澄清溶液瞬间注入Cs(OA)前驱体溶液中,降温并剧烈摇晃至室温,得到量子点溶液;制备油酸铅前驱体溶液;制备第一层包覆的不同状态的量子点溶液;制备第二层包覆的量子点溶液;制备多层包覆的单分散量子点溶液;制备量子点薄膜。该方法合成的无机卤素钙钛矿量子点多层包覆策略形成了单分散核壳结构,减少其毒性,提高其钙钛矿量子点的稳定性。

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