公开(公告)号：CN109659432B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201811267812.7

申请日：2018-10-29

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 修飞 ,  花蔚蔚

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于苯四胺的配位聚合物薄膜的一次写入多次读取存储器及其制备方法，该存储器包括自下而上依次设置的衬底、基于苯四胺的配位聚合物薄膜、上电极；其中，所述基于苯四胺的配位聚合物薄膜的厚度为60nm。本发明首次通过控制配位聚合物薄膜的厚度为60nm，实现了非易失性一次写入多次读取存储器件的制备。同时基于配位聚合物薄膜对衬底的无依赖性，以柔性导电材料为下电极，实现基于此配位聚合物薄膜电极的柔性存储器的制备，适应未来柔性电子器件的发展需求。本发明的配位聚合物薄膜制备方法直接成膜，方便转移，提高了器件制备效率。

公开(公告)号：CN109659432A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811267812.7

申请日：2018-10-29

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 修飞 ,  花蔚蔚

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于苯四胺的配位聚合物薄膜的一次写入多次读取存储器及其制备方法，该存储器包括自下而上依次设置的衬底、基于苯四胺的配位聚合物薄膜、上电极；其中，所述基于苯四胺的配位聚合物薄膜的厚度为60nm。本发明首次通过控制配位聚合物薄膜的厚度为60nm，实现了非易失性一次写入多次读取存储器件的制备。同时基于配位聚合物薄膜对衬底的无依赖性，以柔性导电材料为下电极，实现基于此配位聚合物薄膜电极的柔性存储器的制备，适应未来柔性电子器件的发展需求。本发明的配位聚合物薄膜制备方法直接成膜，方便转移，提高了器件制备效率。