公开(公告)号：CN214152900U

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202023306228.3

申请日：2020-12-30

Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司

Inventor： 马浩文 ,  沈凡翔 ,  王子豪 ,  王凯 ,  李张南 ,  顾郅扬 ,  胡心怡 ,  柴智 ,  陈辉 ,  常峻淞 ,  李龙飞

IPC: H01L27/146

Abstract: 本实用新型涉及一种复合介质栅横向收集光敏探测器，包括形成在同一P型半导体衬底正面的复合介质栅MOS电容和复合介质栅晶体管，还包括埋栅MOS电容，埋栅MOS电容位于P型半导体衬底背面且正对上方复合介质栅MOS电容的中心位置，复合介质栅MOS电容与复合介质栅晶体管在P型半导体衬底中通过浅槽隔离区隔开；复合介质栅晶体管在P型半导体衬底中还设有源极和漏极；埋栅MOS电容包括从P型半导体衬底的背面向上延伸至衬底内部的柱形深槽，柱形深槽中设有埋栅和绝缘介质埋层，埋栅从P型半导体衬底的底部界面沿柱形深槽的中心线向上延伸，绝缘介质埋层以均匀厚度包裹在埋栅的外周将埋栅与P型半导体衬底相隔离。本发明通过横向收集光电荷，光电荷收集效率高。