公开(公告)号：CN102517632A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201210006512.X

申请日：2012-01-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  黄柳英 ,  刘晓杰 ,  付盈盈 ,  吴迪

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/22 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明公开了一种采用MOCVD制备外延Gd2-xLaxO3栅介质薄膜的方法，首先对（100）Si衬底进行清洗；将清洗好的衬底移入MOCVD反应室，Gd源和La源分别为四甲基庚二酮钆Gd(dpm)3和四甲基庚二酮镧La(dpm)3，以MOCVD方法在Si衬底上沉积Gd2-xLaxO3金属氧化物薄膜，将沉积好薄膜的衬底放于快速退火炉中退火后即得到成品。本发明采用MOCVD工艺，在（100）Si衬底上成功制备了外延的（111）Gd2-xLaxO3栅介质薄膜。本发明工艺简单，外延Gd2-xLaxO3栅介质薄膜在微电子领域具有重要的应用前景。

公开(公告)号：CN102194685A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110087697.7

申请日：2011-04-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 李学飞 ,  李爱东 ,  付盈盈 ,  刘晓杰 ,  李辉 ,  吴迪

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种调控Ge衬底与TixAlyO薄膜间能带补偿的方法，首先对锗衬底进行清洗，吹干。接着放入ALD反应室中，沉积以Al2O3为开始层，交替Al2O3和TiO2的沉积循环，且最终沉积的薄膜中Al/Ti的摩尔比率为Al：Ti=1：1.2-4.5；将沉积薄膜后的锗衬底进行退火，即得到成品。本方法中，当Al/Ti的摩尔比率减小时，积累态电容增大；漏电流上升。而且，随着Al/Ti比率增大，Al2O3/TiO2在Ge上的价带和导带补偿以及带隙都会同时增大。这些结果说明：ALDAl2O3/TiO2纳米叠层结构能够有效地调节栅介质与Ge之间的界面质量和能带结构，从而改善MOS器件的工作性能。表明此方法在Ge基MOSFET制备中具有重要的应用前景。