公开(公告)号：CN115148903B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202211078901.3

申请日：2022-09-05

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 倪海彬 ,  田俊 ,  沈依 ,  高绪之 ,  张思嘉 ,  平安 ,  倪波 ,  常建华

IPC: H01L45/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及电子信息技术领域，具体是基于TaOx的金纳米周期性线阵列的可调控光电忆阻器，包括键合有硅片的玻璃基板，所硅片的表面采用纯氩气磁控溅射沉积而成氧化铟锡膜，所述氧化铟锡膜的表面采用纯氩气磁控溅射沉积而成有铝膜，且铝膜为多孔氧化铝结构，所述铝膜的孔洞内填充有第一金纳米线，所述铝膜的上表面采用纯氩气磁控溅射沉积而成有TaOx薄膜阻变层，所述TaOx薄膜阻变层的表面电沉积有多个间隔设置的第二金纳米线，所述TaOx薄膜阻变层的表面还涂覆有PVA涂层，本发明能够实现对信息的存储同时可以通过检测电阻和光发射强度来进行电和光的读取，并通过对阻变层施加偏压实现对忆阻器状态的调控。

公开(公告)号：CN115148903A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202211078901.3

申请日：2022-09-05

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 倪海彬 ,  田俊 ,  沈依 ,  高绪之 ,  张思嘉 ,  平安 ,  倪波 ,  常建华

IPC: H01L45/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及电子信息技术领域，具体是基于TaOx的金纳米周期性线阵列的可调控光电忆阻器，包括键合有硅片的玻璃基板，所硅片的表面采用纯氩气磁控溅射沉积而成氧化铟锡膜，所述氧化铟锡膜的表面采用纯氩气磁控溅射沉积而成有铝膜，且铝膜为多孔氧化铝结构，所述铝膜的孔洞内填充有第一金纳米线，所述铝膜的上表面采用纯氩气磁控溅射沉积而成有TaOx薄膜阻变层，所述TaOx薄膜阻变层的表面电沉积有多个间隔设置的第二金纳米线，所述TaOx薄膜阻变层的表面还涂覆有PVA涂层，本发明能够实现对信息的存储同时可以通过检测电阻和光发射强度来进行电和光的读取，并通过对阻变层施加偏压实现对忆阻器状态的调控。