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公开(公告)号：CN102554254A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110363603.4
申请日：2011-11-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及一种金属In填充MgO纳米管温度控制器件，该器件主要由大量的In填充MgO纳米管压制而成。在温度大于150℃时，该器件的电阻由最大值猛然降低到最小值，通过检测电流，从而达到温度控制的目的；该器件的研制包括大量金属In填充MgO纳米管的制备以及对其压片。该器件对NdFeB等磁性材料做成的器件可进行温度控制，提高器件的使用寿命。
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