-
公开(公告)号：CN114034663A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111310903.6
申请日：2021-11-05
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种基于全介质超表面的三Fano共振微纳折射率传感器，它的超表面结构由对称性破缺的硅纳米孔阵列周期性排布而成，即首先将一层硅薄膜沉积到二氧化硅基底上，然后依次经过曝光、显影和电感耦合等离子体(ICP)等工艺蚀刻出顶层超表面结构。圆形纳米孔的半径分别为d0和d1，纳米孔之间的中心距离为l0都相等。本发明使用高折射率的介电材料避免了金属材料引起的欧姆损耗，具有低损耗、高Q值、高FOM值、器件与CMOS工艺兼容的特点。可实现高性能、小型化和高集成度光子器件。
Search Results
11
records
(took 0.017 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
