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公开(公告)号：CN119627380A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411626703.5
申请日：2024-11-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学
Abstract: 本发明属于一种太赫兹频段低损耗高隔离度MEMS开关，属于射频前端器件领域。该开关桥墩结构，金属梁，上电极通孔组，梯形连接，触点，氮化硅电容绝缘层，下电极，氮化硅电极绝缘层，共面波导微波传输线结构，直流偏置高阻线，金丝，金PAD焊盘贴片，介质基板，背板金属地，接地金属圆柱，金属架桥组成。当通过共面波导进行馈电时，分析开关导通和关断状态下射频特性。开关关断时，隔离度可达‑24.94dB，在高频具备低插损高隔离度的特性，可广泛应用于太赫兹通信领域，应用在微波电路、天线等射频器件中。开关采用单层金属梁设计，结构简单、制造方便，可快速刻蚀制造。
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公开(公告)号：CN112564813B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202011293183.2
申请日：2020-11-18
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H04B10/548 , H04B10/50 , H04B10/516 , H04B7/0456
Abstract: 本发明实施例提供了基于预编码的相位调制器的太赫兹波信号生成方法及装置，使用一个激光器，一个激光器产生了一个光信号波动，从一个光信号进入级联的相位调制器产生的光频梳中，选择两条光梳线，即使有波动，也不会影响光梳线，更不会影响得到的太赫兹波光信号，也避免了接收端为得到400GHz的太赫兹波光信号进行频率频移问题。这样相较于两个激光器，避免了传统的光外差拍频时的频率偏移问题，减少了器件成本，进一步的减少接收端处理接收信号的复杂度。
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公开(公告)号：CN112564813A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011293183.2
申请日：2020-11-18
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H04B10/548 , H04B10/50 , H04B10/516 , H04B7/0456
Abstract: 本发明实施例提供了基于预编码的相位调制器的太赫兹波信号生成方法及装置，使用一个激光器，一个激光器产生了一个光信号波动，从一个光信号进入级联的相位调制器产生的光频梳中，选择两条光梳线，即使有波动，也不会影响光梳线，更不会影响得到的太赫兹波光信号，也避免了接收端为得到400GHz的太赫兹波光信号进行频率频移问题。这样相较于两个激光器，避免了传统的光外差拍频时的频率偏移问题，减少了器件成本，进一步的减少接收端处理接收信号的复杂度。
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公开(公告)号：CN109547102B
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201811540912.2
申请日：2018-12-17
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H04B10/079 , H04B10/075 , G06N3/04
Abstract: 本发明实施例提供了一种光性能监测方法、装置、电子设备及可读存储介质，应用于光纤通信技术领域，所述方法包括：确定待监测信号的幅度图中位于各预设幅度区间的幅度值的次数，得到幅度值向量；将幅度值向量输入预先建立的第一深度神经网络模型，得到待监测信号的调制格式，第一深度神经网络模型是根据各调制格式的信号以及各调制格式的信号对应的幅度图训练得到的；将幅度值向量输入预先建立的与待监测信号的调制格式相对应的第二深度神经网络模型，得到待监测信号的光信噪比和比特率；第二深度神经网络模型是根据与待监测信号的调制格式相同的各信号的幅度图、以及各幅度图对应的光信噪比和比特率训练得到的。本发明可提高光性能监测能力。
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公开(公告)号：CN109547102A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811540912.2
申请日：2018-12-17
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H04B10/079 , H04B10/075 , G06N3/04
Abstract: 本发明实施例提供了一种光性能监测方法、装置、电子设备及可读存储介质，应用于光纤通信技术领域，所述方法包括：确定待监测信号的幅度图中位于各预设幅度区间的幅度值的次数，得到幅度值向量；将幅度值向量输入预先建立的第一深度神经网络模型，得到待监测信号的调制格式，第一深度神经网络模型是根据各调制格式的信号以及各调制格式的信号对应的幅度图训练得到的；将幅度值向量输入预先建立的与待监测信号的调制格式相对应的第二深度神经网络模型，得到待监测信号的光信噪比和比特率；第二深度神经网络模型是根据与待监测信号的调制格式相同的各信号的幅度图、以及各幅度图对应的光信噪比和比特率训练得到的。本发明可提高光性能监测能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105955957A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610294366.3
申请日：2016-05-05
Applicant: 北京邮电大学
CPC classification number: G06F17/277 , G06Q10/06393
Abstract: 本发明实施例提供了一种商家总体评论中方面评分的确定方法及装置。所述方法包括：针对获得的每个第一用户评论，根据预设第一规则或预设第二规则，识别所述第一用户评论的文本评论中的每个词对；针对每个词对，根据预设第一公式、保存的每个联合概率，计算所述词对在每个方面、取每个可选得分时的概率，根据计算得到的每个概率，获得每个方面对应的概率和值，并将最大的概率和值对应的方面确定为所述词对归属的方面，并确定所述词对在该方面的得分；针对每个方面，根据确定的每个第一用户评论中在该方面的词对的得分，确定所述待评分商家在所述方面的方面评分。本实施例能够提高评分网站上商家的总体评论中方面评分的准确性。
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公开(公告)号：CN103559320B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310596279.X
申请日：2013-11-21
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G06F17/30
Abstract: 本发明实施例公开了一种对异质网络中对象进行排序的方法，其特征在于，所述方法包括：获取第一目标类型与第二目标类型；将异质网络转化为由所述第一目标类型、所述第二目标类型及所述第一目标类型与所述第二目标类型之间的路径构成的二分网络；将所述二分网络转化为对应的张量X；获取在所述张量X中进行随机游走时的可达概率平稳分布；根据所述可达概率平稳分布对所述第一目标类型中的对象、所述第二目标类型中的对象及所述第一目标类型与所述第二目标类型之间的路径进行排序。与现有技术相比，本实施例对异质网络中的对象进行排序时，不但可以使用路径捕捉语义信息，而且可以充分利用语义信息，排序结果相对准确。
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公开(公告)号：CN119674507A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411626091.X
申请日：2024-11-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种毫米波极化和方向图可重构天线，属于射频前端器件领域。其由对称的矩形辐射贴片，位于辐射贴片上的半圆缺陷、四分之一圆缺陷、矩形枝节加载，正交双向馈电网络，T型功分馈电网络，复合梁欧姆接触式MEMS开关，直流偏置线，测试贴片焊盘，共面波导，渐变匹配结构，介质基板，金属地背板组成。当T型功分馈电网络上的单侧MEMS开关导通时，能量流向该侧的辐射单元，可实现向左或向右的波束倾斜效果。当两侧的MEMS均导通时，辐射方向图指向Z正轴，无波束偏转，据此可实现左中右三个方向的方向图可重构功能。当正交双向馈电网络上的开关闭合时，长线的尺寸可实现90°的相位延迟，两个正交的简并模合成圆极化波，覆盖完整半功率波束宽度。
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公开(公告)号：CN119651142A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411626063.8
申请日：2024-11-14
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于RF MEMS开关控制的单极子方向图可重构天线，属于射频前端器件领域。由单极子辐射单元，位于其左右两侧的寄生单元，复合梁欧姆接触式MEMS开关，直流偏置线，测试贴片焊盘，共面波导，渐变微带线，介质基板，金属地背板组成。当寄生单元上的MEMS开关导通时，寄生单元长度略小于单极子辐射单元，寄生单元起到引向器作用。当MEMS开关关断时，一级引向单元由断口处一分为二，其长度远小于单极子辐射单元，且终端开路产生回流，削减抵消二级引向单元的效果。当一侧开关下拉时，方向图向闭合开关一侧发生波束偏转，可调偏转角度可达41°，增益可达6.14dB，波束宽度约90°，当两侧开关均断开时，波束偏转为0°，方向图指向正Z轴，增益为5.15dB。
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公开(公告)号：CN118017220A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410320344.4
申请日：2024-03-20
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了基于单刀四掷开关控制的MEMS开关线型移相器，属于射频前端器件领域。该基于单刀四掷开关控制的MEMS开关线型移相器由粗调、细调移相单元组成。移相单元由两个单刀四掷开关、相位延时线、输入输出端口组成。当某条相位延时线前后端两个单刀四掷开关的对应触点均接触闭合，且其余触点断开时，该移相单元由单刀四掷开关选通此条相位延时线，信号通过该线产生相位延时。利用MEMS技术设计的线性移相器在太赫兹频段具有插入损耗较小的特征，该移相器在中心频率处S11参数在‑10dB以下，S21参数在‑1.6dB附近波动；结构简单、制造方便，相对于传统半导体开关移相器，设计结构简单，稳定可靠，且可以采用玻璃基工艺制造。
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