公开(公告)号：CN116504866B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310777359.9

申请日：2023-06-29

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 张世凤 ,  任艳玲 ,  李少斌 ,  胡安琪 ,  刘巧莉 ,  郭霞

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明提供一种高时间分辨率单光子探测器及其制备方法，高时间分辨率单光子探测器包括：半导体基体，包括衬底和外延层；钝化层，形成于外延层的背向衬底的一侧；倍增层，形成于外延层内；第一欧姆接触层，形成于外延层内，第一欧姆接触层的两侧分别与倍增层和钝化层接触；第一欧姆接触电极，与钝化层同层布置，并与第一欧姆接触层连接；第二欧姆接触电极，与半导体基体连接。根据本发明的高时间分辨率单光子探测器，可以构建出弹道电场结构，为进入倍增层的载流子提供初始动能，变强场激发模式为利用弹道电场提高载流子动能的模式，在保证载流子碰撞概率的同时抑制散射随机性，保持低功耗、低噪声的高确定性输运，从而提高时间分辨率。

公开(公告)号：CN116504866A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310777359.9

申请日：2023-06-29

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 张世凤 ,  任艳玲 ,  李少斌 ,  胡安琪 ,  刘巧莉 ,  郭霞

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明提供一种高时间分辨率单光子探测器及其制备方法，高时间分辨率单光子探测器包括：半导体基体，包括衬底和外延层；钝化层，形成于外延层的背向衬底的一侧；倍增层，形成于外延层内；第一欧姆接触层，形成于外延层内，第一欧姆接触层的两侧分别与倍增层和钝化层接触；第一欧姆接触电极，与钝化层同层布置，并与第一欧姆接触层连接；第二欧姆接触电极，与半导体基体连接。根据本发明的高时间分辨率单光子探测器，可以构建出弹道电场结构，为进入倍增层的载流子提供初始动能，变强场激发模式为利用弹道电场提高载流子动能的模式，在保证载流子碰撞概率的同时抑制散射随机性，保持低功耗、低噪声的高确定性输运，从而提高时间分辨率。

公开(公告)号：CN115084307B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210989618.X

申请日：2022-08-18

Applicant: 北京邮电大学 ,  无锡中微晶园电子有限公司 ,  北京中盾安民分析技术有限公司

Inventor： 郭霞 ,  刘巧莉 ,  胡安琪 ,  张世凤 ,  许莉 ,  任艳玲 ,  蔡子昱 ,  王涛 ,  张明 ,  陈力 ,  廖建新

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种抗辐照加固单光子探测器及其制备方法，抗辐照加固单光子探测器包括衬底、钝化层、雪崩层、补偿层、第一欧姆接触复合层和第二欧姆接触复合层；第二欧姆接触复合层、衬底和钝化层依次层叠设置，第一欧姆接触复合层包括第一接触电极和第一欧姆接触层，雪崩层和第一欧姆接触层均位于衬底内，雪崩层与第一欧姆接触层朝向第二欧姆接触复合层的一面连接；第一接触电极与钝化层同层设置，且第一接触电极与第一欧姆接触层连接；补偿层位于衬底内，补偿层背离第二欧姆接触复合层的一面与钝化层接触，补偿层用于预补偿辐照损伤在衬底中感应的电荷。本发明的抗辐照加固单光子探测器结构简单、抗辐照损伤效果明显。