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公开(公告)号：CN115020403A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210750569.4
申请日：2022-06-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种用于低电源电路的硅整流器件，包括P衬底、N阱与P阱，在N阱表面由外向内设置与器件阳极连接的N+区域一和P+区域一，并以浅沟槽隔离区域一隔开，在P阱表面由外向内设置与器件阴极连接的P+区域二和N+区域二，并以浅沟槽隔离区域二隔开，在N阱表面和P阱表面还设置有N+区域三，N+区域三与P+区域一之间以浅沟槽隔离区域三隔开，利用栅极连接N+区域三和N+区域二，从而形成以N+区域三为漏极，以N+区域二为源极的MOS结构；其中栅极与器件阴极连接。N阱中，在P+区域一下方设置N浅阱，P阱中，在栅极下方设置P浅阱。本发明器件的触发电压与保持电压可调，能灵活用在低电源电路中，且可避免发生闩锁效应。
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