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公开(公告)号：CN1613641A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410009912.1
申请日：2004-11-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: B32B15/04
Abstract: 本发明提供了一种镍铁薄膜及其制备方法。镍铁薄膜中镍含量在10至35原子百分比，其中面心立方结构所占的比例在0至100％之间可调。镍铁薄膜具有垂直于基片表面的柱状晶粒，晶粒在平行于基片表面方向上的宽度是5至500纳米。用物理气相沉积法制备不同成分的镍铁薄膜，用低于500度的热处理调节镍铁薄膜中面心立方结构所占比例。本发明的优点在于：通过对同一种成分的镍铁薄膜进行低温热处理，调节薄膜中不同结晶结构比例，获得相应的物理特性。由于温度控制容易，所以制备工艺稳定、制备方法简单。
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公开(公告)号：CN117998980A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410083908.7
申请日：2024-01-19
Applicant: 北京科技大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体材料量子电容的忆容器，属于人工智能神经信息存储技术领域，所述忆容器包括：电容极板、介电层以及导电层；所述电容极板包括二维半导体材料层和p型硅层；所述介电层设置于所述二维半导体材料层和p型硅层之间，所述p型硅层远离所述介电层的一面覆盖在所述导电层上方。本申请提供的忆容器，因为二维半导体材料的量子电容在载流子浓度变化时具有灵敏的响应，所以具有更高的响应强度和灵敏度。同时本申请提供的忆容器还可以被多种因素调控，所以该器件可以实现电增强‑电衰退、电增强‑气衰退、光增强‑电衰退和光增强‑气衰退等多场耦合调控。此外该器件还可用于模拟生物神经突触行为。
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公开(公告)号：CN114062345A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111283848.6
申请日：2021-11-01
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种原位测量材料在极端条件下相变或氧化烧蚀产物成分的方法，该方法通过搭建的极端条件综合拉曼测量系统，针对性地对极端条件氧化烧蚀实验条件下拉曼测量存在的技术难题进行了设计和优化，可对极端条件氧化烧蚀过程中的样品进行通常难以实现的拉曼光谱原位采集，尤其是应用在诸如大型风洞、航空发动机试车台等特殊环境下；同时，配合温度测量和图像采集，实现了一种新的对材料氧化烧蚀过程的原位测量方法。本发明适用于光谱检测技术领域。
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公开(公告)号：CN113666373A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110863601.5
申请日：2021-07-29
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MXene的SERS薄膜基底制备方法及应用，涉及表面增强拉曼散射光谱技术领域，本发明所述的方法包括使用氟化锂‑盐酸为刻蚀分层剂选择性刻蚀掉前驱体MAX材料中的Al原子层，所获得的双过渡金属碳化物二维层状材料用去离子水将其反复清洗、离心；然后将其在去离子水中分散，摇晃，再离心抽滤；得到新型的自支撑SERS薄膜基底。本发明所用的制备方法操作简单，成本低廉，具有灵敏度高，拉曼增强效果好，可重现性高等优点，可应用于环境、食品安全、生物标志物等领域的痕量检测，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1234017C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN01134693.0
申请日：2001-11-13
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种使用磁隧道结磁电阻材料的三维微弱磁场检测器件。其特征在于：由三维交叉放置的三组相同的磁隧道结磁电阻芯片(15)组成，各芯片的磁场敏感方向相互垂直；磁隧道结磁电阻芯片(15)由基片(1)和在其上生成的产生偏置磁场的导电薄膜条部分(12)和产生复位功能的导电薄膜条部分(13)以及磁隧道结磁电阻感应部分(14)构成；磁隧道结磁电阻感应部分(14)由磁隧道结和电信号输出电极以及电极引线构成。本发明的优点是对磁场的大小和方向具有高的灵敏度，同时具有复位和防退磁功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1433093A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN02100349.1
申请日：2002-01-11
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种磁敏电阻金属薄膜。其特征在于：由基片(1)及在基片上生成的磁性金属合金薄膜(2)组成，其磁性金属合金薄膜(2)的厚度为10纳米至1000纳米，含有5－30at％原子百分比氧，具有垂直于基片表面的柱状结晶晶粒，结晶晶粒在平行于基片表面方向上的宽度为10－1000纳米。基片(1)可以是塑料、聚四合物高分子材料，也可以是玻璃、二氧化硅等非晶态材料，也可以是微晶玻璃，也可以是氧化镁、氧化铝、氧化锌、钛酸钡、钛酸铅、锆酸铅、钛酸锆酸铅、钛酸锆酸镧酸铅金属氧化物材料，还可以是硅、砷化镓等半导体材料；磁性金属合金薄膜(2)可以是镍铁合金、镍钴合金、铁钴合金或铁钴镍构成的三元合金。本发明的优点是磁敏电阻金属薄膜材料具有高于4％的各向异性磁电阻变化率，并且具有高的磁场灵敏度。
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公开(公告)号：CN1356531A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01134692.2
申请日：2001-11-13
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
IPC: G01D5/249
Abstract: 本发明提供了一种使用磁隧道结磁敏电阻芯片的磁编码器。其特征在于:磁编码器由敏感元件磁隧道结磁敏电阻芯片(15)和被充磁的磁鼓(16)构成,磁隧道结磁敏电阻芯片(15)中的磁敏电阻感应部分(10)与磁鼓(16)之间的距离为10微米－1毫米;磁隧道结磁敏电阻芯片(15)由基片(1)、在基片(1)上生成的能够产生偏置磁场的部分(5)以及在能够产生偏置磁场的部分(5)上生成的磁敏电阻感应部分(10)组成;本发明的优点是提高磁编码器的灵敏度、温度稳定性,减少其信号处理电路。
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公开(公告)号：CN116223349A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211579044.5
申请日：2022-12-07
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N17/00
Abstract: 本发明提供一种单色光辐照试验老化箱，属于光老化设备技术领域；包括箱体，箱体顶面安装有散热风扇，以其为圆心向外均匀分布多组单色LED灯，箱体壁四周上与每个单色LED灯对应的位置设有箱门，箱体内设有多组隔板，隔板将箱体内均分为多个独立空间，相邻隔板之间设有样品台，样品台置于升降台之上，升降台安装在箱体内的底部，箱体内设有散热装置和湿度调节装置，箱体底部安装有万向轮；本发明能够实时检测并调节箱内温度湿度，设置多组灯并用隔板隔开能够实现对照试验的功能，且箱体内光的辐照度、波段范围、温湿度在本发明是可以调节的，为老化试验提供了多种变量，使试验结果更全面准确。
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公开(公告)号：CN113702565B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110969668.7
申请日：2021-08-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本申请涉及光谱检测技术领域，提供了一种原位测试金属燃烧敏感性特征的方法及系统，方法包括步骤：加热金属样品至燃烧；实时监测金属样品从加热至燃烧结束过程中的表面温度；采用短波长脉冲激光照射金属样品表面，产生拉曼信号；采集、处理金属样品从加热至燃烧结束过程中的拉曼信号，得到拉曼光谱；其中短波长脉冲激光的脉冲和拉曼信号的采集以时序同步的方式进行；分析金属样品的表面温度和拉曼光谱，获得在起燃瞬间的相变信息，从而得到金属燃烧敏感性特征。本申请提供的方法，可有效去除待测金属在高温状态下产生的黑体辐射信号对拉曼信号的影响，提高拉曼光谱分析的精度，准确获得起燃瞬间的拉曼信号，进而分析得到金属燃烧敏感性特征。
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公开(公告)号：CN107727487A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711157591.3
申请日：2017-11-20
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: G01N3/02 , G01N3/068 , G01N2203/0226
Abstract: 本发明提供一种气动热-力耦合环境下材料高温力学性能测试设备，属于材料高温力学性能测试技术领域。该设备包括主机框架、力学加载系统和夹具水冷系统，主机框架采用双立柱设计，力学加载系统的油缸机构下端穿过主机框架的上横梁并以螺纹形式与其固定，力学加载系统的上拉杆、上夹具等连接在油缸机构下端，力学加载系统的其他部件依次与下横梁连接。夹具水冷系统为力学加载系统中的样品夹持机构降温。该设备在传统的电液伺服技术基础上设计了能够配合集束射流气动-热力耦合环境模拟试验舱的力学主机，具有独特结构设计并融合多项先进测试技术，可很好的实现集束射流气动-热力耦合环境下陶瓷材料的超高温力学性能测试。
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