公开(公告)号：CN114334631A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111415718.3

申请日：2021-11-25

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 杨涛 ,  周林林 ,  王恩会 ,  侯新梅 ,  方志 ,  郑亚鹏 ,  薛优 ,  刘爽 ,  吕煜诚 ,  徐兵 ,  邢原铭 ,  王博

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/103 ,  H01L31/18 ,  H01L41/18 ,  H01L41/31

Abstract: 本发明公开了一种基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法，通过将硼铝共掺杂到碳化硅中，能够将碳化硅的光响应范围由紫外光区扩展到可见光区的同时，也提升了碳化硅在光照条件下的光生载流子浓度，从而进一步优化了其光响应能力，提高了视觉传感的灵敏度；此外，通过将氮掺杂到硼铝共掺杂的碳化硅中，能够增加碳化硅的结构不对称性，从而提升了其压电系数，增加其压电响应能力，进而提高了触觉传感的灵敏度；基于对硼铝氮共掺杂碳化硅进行阳极电化学刻蚀处理，可得到形貌不同的一维碳化硅纳米结构，使一体化传感器可应用于更广泛的环境中。总之，本发明提供了一种操作过程简单、实用性强的基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法。