公开(公告)号：CN115820215B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202211628239.4

申请日：2022-12-17

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 袁换美 ,  郝思钰 ,  刘思彤 ,  白皓

IPC: C09K5/06

Abstract: 本发明提供了一种单分散高导热复合双壳相变纳米胶囊的制备方法，属于相变材料技术领域。本发明是先在相变材料表面包覆一层二氧化硅，然后再包覆一层银壳，从而形成银壳和二氧化硅壳双层包覆相变材料的相变纳米胶囊。本发明对相变材料的双层包覆不仅能够提高相变纳米胶囊的强度，同时还能提高相变纳米胶囊的导热性。

公开(公告)号：CN112981365A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202110421428.3

申请日：2021-04-20

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 郑宇亭 ,  李成明 ,  张钦睿 ,  刘思彤 ,  魏俊俊 ,  刘金龙 ,  陈良贤

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/511 ,  C23C16/503 ,  C23C16/56 ,  G01N27/30 ,  C02F1/461 ,  B32B15/02 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B33/00 ,  B32B37/00 ,  B32B37/06 ,  B32B37/10

Abstract: 本发明涉及一种网笼多层结构硼掺杂金刚石电极的制备方法，属于半导体材料制备领域。首先将TiNb金属网和粒径为1μm‑100μm的硼掺杂金刚石微粉逐层交替放置，并在压力为100‑300MPa、温度在1000‑1400°C条件下通过热等静压成型处理30min‑5h。接着再将该金刚石/TiNb复合电极通过微波等离子体或直流电弧等离子体化学气相沉积技术在该金刚石复合电极上下两侧分别沉积硼掺杂金刚石保护层以增强网笼多层结构硼掺杂金刚石电极的强度。随后对电极进行800‑1000℃热处理2‑10 h，最终形成稳定的具有更高有效反应表面积的高性能网笼多层结构硼掺杂金刚石电极。本发明适合于制备金刚石电极。

公开(公告)号：CN113151898A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110432545.X

申请日：2021-04-21

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 郑宇亭 ,  李成明 ,  张钦睿 ,  刘思彤 ,  魏俊俊 ,  刘金龙 ,  陈良贤 ,  欧阳晓平

IPC: C30B25/18 ,  C30B25/04 ,  C30B25/14 ,  C30B29/04 ,  C23C16/01 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/27 ,  C23C16/50

Abstract: 本发明涉及一种嵌入式金刚石基碳化硅复合衬底的制备方法，属于半导体材料制备领域。首先对镀制有Si涂层的碳化硅(SiC)基片粘附临时载体，随后对SiC进行表面图形化及反应离子刻蚀，形成具有图案结构的SiC层。接着在其表面沉积一层金刚石以覆盖SiC，并对金刚石层表面进行研磨抛光。随之在去除SiC基片的临时载体后，在金刚石侧再粘附临时载体。通过反应离子刻蚀去掉原有Si涂层后，将金刚石侧临时载体去除，最终得到嵌入式金刚石基SiC复合衬底。能够实现在高功率、高集成条件下热量的快速排散，同时能够充分发挥SiC和金刚石作为宽禁带半导体的优异性能，提供了一种宽禁带半导体异质材料结构设计的制备基础。