公开(公告)号：CN110534257A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910762252.0

申请日：2019-08-19

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 熊小路 ,  段俊熙 ,  韩俊峰 ,  姚裕贵

IPC: H01B13/00 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明公开了一种不耐热二维薄层材料的微电极精确制作方法，将剥离的二维薄层材料转移至做好的电极上，过程中无任何加热步骤，在常温下即可进行；可以避免材料因受热而被破坏，从而可以研究材料的本征性质；本发明通过显微镜实时观测待转移的目标薄层材料及硅片基底上的电极的相对位置，并通过软件精确移动转移台，从而保证目标薄层材料精确的落至电极上。

公开(公告)号：CN109164679A

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201811045856.5

申请日：2018-09-07

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 熊小路 ,  韩俊峰 ,  史庆藩 ,  姚裕贵 ,  赵劲松

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种基于写场套刻精确制作微电极的方法，可以为宽度在1微米以下的单根纳米线上制作间距几十至几百纳米的霍尔电极提供便利；通过以高倍扫描照片为依据绘制电极图，提高电极图形的精确定位；利用写场套刻，采用不同的参数曝光，保证图形精度：用小写场曝光纳米尺寸的电极线图形，精度高；用大写场曝光微米尺寸的电极头图形，时间短；每个写场用对应的标记校准，保证定位的精确性。并行使用两种方法制作标记，效率高：利用紫外曝光曝光时间短面积大的特点，制作大尺寸图形的校准标记；利用电子束曝光精度高的优势，制作小尺寸图形的校准标记。

公开(公告)号：CN109031897A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201811013542.7

申请日：2018-08-31

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 熊小路 ,  韩俊峰 ,  史庆藩 ,  姚裕贵 ,  赵劲松

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种混合曝光快速精确制作微电极的方法，先在基底上通过紫外曝光方法设计制作带标记图形的基底，再将材料转移或生长在带有标记的基底上。在电子束曝光机以外的电脑上进行曝光图形的绘制；样品放入电子束曝光机后，只需曝光电极图形，无需曝光制作标记、画图形的时间，所以效率高；同时，利用紫外曝光制作标记，时间短、效率高。曝光前再次通过数字标记校准写场，曝光精度高。