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公开(公告)号:CN115295039A
公开(公告)日:2022-11-04
申请号:CN202210759362.3
申请日:2022-06-29
Applicant: 北京控制工程研究所
IPC: G11C11/406 , G11C29/42
Abstract: 一种抗单粒子翻转效应累积的存储器闲时刷新方法及系统,在处理器访问存储器稀疏或空闲时,启动读取操作对存储器中的数据进行刷新,并对已经发生单粒子翻转的数据进行校验和纠正,且记录错误现场和向处理器发送中断,将错误发生地址、读取的源数据和校验码存储到相应的寄存器中,待处理器读取判断;刷新过程由可编程存储器自主访问部件执行,刷新期间处理器可执行除存储器访问之外的其他运算程序;刷新过程结束后处理器可正常访问存储器。本发明能够在处理器访问存储器任务稀疏或空闲的状态下,不占用处理器的运算资源,自主完成存储器的刷新任务,防止空间应用中存储器单粒子翻转产生的错误发生累积,由单位错变为双位错或多位错。