公开(公告)号：CN106129210A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610460910.7

申请日：2016-06-22

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  邹德恕 ,  董毅博 ,  解意洋 ,  荀孟 ,  潘冠中 ,  王秋华

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L33/36 ,  H01L33/02

Abstract: 一种电极下方有源区绝缘化的高光提取效率发光二极管，属于半导体光电子技术领域。该发光二极管包括P电极、电流扩展层、绝缘区、窗口层、上限制层、有源区、下限制层、缓冲层、N电极。通过离子注入的方法，注入深度达到有源区，能够使P电极下方的有源区绝缘，阻止了P电极正下方的电流输运，P电极流入的电流会横向扩展流入到周围的有源区，解决了P电极下方有源区发出的光被P电极阻挡和吸收的问题，改善了电流的扩展，提高了器件的光提取效率和发光强度。同时，采用本发明中有源区绝缘化的方法不会在器件表面产生台阶，不会影响器件的表面平整，提高了器件的可靠性。工艺简单、成本较低，适合批量生产。

公开(公告)号：CN105977786A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610500037.X

申请日：2016-06-29

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 解意洋 ,  徐晨 ,  王秋华 ,  荀孟 ,  潘冠中 ,  董毅博 ,  安亚宁

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/06

CPC classification number: H01S5/18361 ,  H01S5/0608

Abstract: 本发明公开了低折射率介质支撑型高对比度光栅面发射激光器，利用外延生长技术和半导体平面微纳米加工工艺进行制作，在高对比度光栅层上加工制作出高对比度光栅以形成低折射率支撑型高对比度光栅面发射激光器结构。高对比度光栅相对于上DBR结构具有更高的反射率和更宽的反射带宽，能够为激光器激射提供足够的反射率，高的反射率有利于减小谐振腔损耗、降低器件阈值电流。宽的高反射率带宽更好的匹配谐振腔模式，降低器件加工制备难度、易于器件激射。低折射率介质支撑高对比度光栅结构由两层介质膜组成，且厚度只有几百纳米，相对于P型DBR的3μm‑5μm，有效的降低了器件外延难度。