高功率腔内倍频半导体薄片激光器

    公开(公告)号:CN203503971U

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201320230506.2

    申请日:2013-05-01

    Abstract: 本实用新型涉及高功率腔内倍频半导体薄片激光器,属于半导体激光器领域。本实用新型采用散热窗口改善激光器的热效应,用滤波装置稳定基频光频率,压窄基频光线宽,提高腔内倍频效率。抽运光经准直聚焦后作用在半导体薄片增益介质(4)上,半导体薄片增益介质上键合了一块高热导率且对抽运光和激光都透明的散热窗口(5)。增益介质中的光生载流子在量子阱(14)中发生受激辐射,由后端镜(8)、输出耦合镜(7)、及半导体薄片增益介质底部的布拉格反射镜(16)构成激光腔产生基频激光,由非线性晶体(10)产生倍频激光(11),其特征在于:激光腔内设置有滤波装置(9),有效稳定基频光的频率,数倍地压窄基频光线宽,从而提高倍频效率。

    半导体激光器的散热装置
    12.
    实用新型

    公开(公告)号:CN201576886U

    公开(公告)日:2010-09-08

    申请号:CN200920278330.1

    申请日:2009-12-25

    Abstract: 半导体激光器的散热装置属于半导体激光器技术领域,特别涉及一种能够对增益芯片的前后表面同时制冷并散热的散热装置。该装置包括导热器、安装在导热器下面的半导体制冷器(11)及安装在半导体制冷器下面的循环水冷却装置(12)。其中,所述导热器为前后两层导热片的夹持结构,前层导热片(9)为高导热率的片型透光材料,后层导热片(10)为高导热率金属材料制作的U型槽,前层导热片(9)和后层导热片(10)通过高导热率金属材料制作的窗口型压片(14)用螺栓结合成一体。由于对增益芯片的前后表面同时制冷散热,不仅增加了激光器的散热效果,而且降低了增益芯片的温度分布不均匀性,很好地控制了增益芯片的稳定性,可以获得高功率稳定的锁模输出。

    超短脉冲宽度测试仪
    13.
    实用新型

    公开(公告)号:CN201173826Y

    公开(公告)日:2008-12-31

    申请号:CN200820078877.2

    申请日:2008-02-01

    Abstract: 超短脉冲宽度测试仪属于光电子领域。目前产品光学设计和调节过程复杂,体积大且价格昂贵,本实用新型依次包括:两片对于待测激光为透明且厚度在毫米量级的相同的片状材料(FS1),(FS2)、凹面反射镜(CM1)、非线性晶体(NL)、针孔光阑(PA)、凹面反射镜(CM2)、光电探测器(PD)、入射光脉冲的自相关特征曲线显示装置(OSC);待测激光通过片状材料的两束光平行但高度不同,入射至凹面反射镜(CM1)聚焦,在焦点放置非线性晶体产生和频光;针孔光阑只透过和频光,经另一凹面反射镜(CM2)准直,入射至光电探测器将光信号转化为电信号并输入显示装置(OSC)得入射光脉冲的自相关特征曲线。本实用新型集成化程度高、操作简便、具高性能价格比。

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