公开(公告)号：CN108900175A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810697165.7

申请日：2018-06-29

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张万荣 ,  杨鑫 ,  谢红云 ,  金冬月 ,  徐曙 ,  张崟 ,  张昭

IPC: H03H11/36

Abstract: 本发明提供了一种宽频带、大电感值、高Q值且Q值可独立调节的有源电感。该有源电感包括：第一跨导单元，第二跨导单元，频带拓展单元，可调分流单元，反馈单元。第一跨导单元与第二跨导单元首尾连接实现电感基本功能，反馈单元与第一跨导单元的并联连接，不但增大了电感值，而且增大了等效输出电阻，减小了等效串联电阻，实现了高的Q值；频带拓展单元和可调分流单元分别与第一跨导单元串联和并联，分别减小了有源电感的等效输入电容进而实现了宽的工作频带和实现了对第一跨导单元电流的调节进而可对电感值进行调节。本有源电感适用于对电感有宽频带工作要求，且在宽频带内对Q值有独立调节要求的射频集成电路。

公开(公告)号：CN111884622B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202010639282.5

申请日：2020-07-06

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张万荣 ,  万禾湛 ,  谢红云 ,  金冬月 ,  那伟聪 ,  张思佳 ,  张昭

IPC: H03H11/02

Abstract: 一种宽频带工作的差分有源电感涉及射频集成电路领域，包括：第一N型MOS晶体管(M1)，第二N型MOS晶体管(M2)，第三N型MOS晶体管(M3)，第四N型MOS晶体管(M4)，第五P型MOS晶体管(M5)，第六P型MOS晶体管(M6)，第七N型MOS晶体管(M7)，第八N型MOS晶体管(M8)以及由无源电感L和MOS变容管并联构成的LC谐振电路。其中，晶体管M1、M3和M2、M4构成差分有源电感架构，M5、M6、M7和M8构成有源电感偏置电流源，LC谐振电路加在晶体管M3与M4漏极之间、晶体管M1与M2栅极之间，实现了有源电感宽的工作频带、在宽频带及高频下具有高的Q值和大的电感值，并实现电感值和Q值可调谐。

公开(公告)号：CN108768342A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810555716.6

申请日：2018-05-31

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张万荣 ,  黄建程 ,  谢红云 ,  金冬月 ,  董小乔 ,  王家宁 ,  张昭

IPC: H03H11/46

CPC classification number: H03H11/46

Abstract: 本发明提供了一种射频集成有源电感包括：输入单元，频带调节单元，第一及第二偏置单元，第一及第二跨导单元。第一偏置单元为第一跨导单元提供直流偏置，第二偏置单元为第二跨导单元提供直流偏置。在有源电感的输入端，输入单元和第一跨导单元串联，使有源电感具有小的等效输入电容，进而有宽的工作频带；频带调节单元既与输入单元串联，也与第一跨导单元并联，通过调节频带调节单元，实现对有源电感工作频带的独立调节；第一跨导单元中MOS晶体管并联，使有源电感具有大的等效回转电容，进而有大的电感值；协同调节第一跨导单元和频带调节单元，实现有源电感在宽工作频带内电感值的调节。本发明适用于对电感有宽频带要求和在宽频带内对电感值有调节要求的电路。

公开(公告)号：CN111478680A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN202010309140.2

申请日：2020-04-19

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张万荣 ,  张昭 ,  谢红云 ,  金冬月 ,  张思佳 ,  万禾湛 ,  王飞虎

IPC: H03H11/02

Abstract: 一种射频压控有源电感涉及集成电路领域，包括：第一跨导单元(1)，第二跨导单元(2)，第三跨导单元(3)，第四跨导单元(4)，有源反馈电阻单元(5)，第一偏置单元(6)，第二偏置单元(7)。第一跨导单元(1)与第二跨导单元(2)构成主回路。第三跨导单元(3)、第四跨导单元(4)与有源反馈电阻单元(5)构成补偿回路。调节补偿回路的不同电压调制端，可补偿因调节主回路不同电压调制端引起的电感值和Q值的变化，进而实现高频下的Q值相对于电感值可独立调节和在调节电感值时Q值保持恒定的性能。补偿回路，一方面，增大了有源电感在高频下的Q值，另一方面与主回路配合，使得有源电感具有宽的工作频带，且在高频下具有高的电感值。

公开(公告)号：CN102701441B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201210152750.1

申请日：2012-05-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 李冬 ,  吴迪 ,  仲航 ,  刘丽倩 ,  张昭 ,  张功良 ,  苏东霞 ,  高伟楠 ,  王斌 ,  孙宇 ,  李德祥 ,  杨卓 ,  崔少明 ,  周利军 ,  曾辉平 ,  张杰

IPC: C02F3/28 ,  C02F101/16

Abstract: 一种常温低氨氮CSTR部分亚硝化出水氮素比例调控方法属于城市废水处理与资源化领域。采用四阶段启动，以SBR低氨氮运行期间氨氧化负荷的80%-100%作为CSTR的初始氨氧化负荷，确定CSTR的HRT。以DO/ALR作为亚硝化系统维系的标志性参数，推荐其值不大于1.0mgO2/gNd，以此作为DO与HRT调控标准。先恒定HRT单控DO，若不能达到比例或氨氧化负荷不足，可同步调控HRT与DO。比较出水NO2--N/NH4+-N及氨氮氧化速率（a）/亚硝酸盐氮生成速率（b）、亚硝酸盐氮生成速率（b）/硝酸盐氮生成速率（c）。不同工况的出水比例均值若均在1～1.32∶1之间，则当b/a＞0.9且越接近1.0，b/c越大者，则越适宜作为系统长期运行的工况。本发明保证CSTR反应器出水NO2--N/NH4+-N在1～1.32∶1间，以满足厌氧氨氧化工艺的进水需求。

公开(公告)号：CN102786142A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210258946.9

申请日：2012-07-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 李冬 ,  张昭 ,  曾辉平 ,  张杰

IPC: C02F3/30

Abstract: 低碳城市污水实现部分亚硝化的装置和方法属于污水处理领域。该装置设有原水水箱、推流式部分亚硝化反应器、竖流式二沉池，其中推流式部分亚硝化反应器分为四个格室，第1、2、4格室为好氧区、第3格室为缺氧区。利用该装置的方法：1）将从污水厂取得的硝化污泥投入到部分亚硝化反应器中；2）采用SBR方式，以污泥消化液对硝化污泥进行驯化；3）采用SBR方式，以低碳城市污水对其进一步驯化；4）转变为连续流方式运行，实现低碳城市污水的部分亚硝化。本发明提供了一种常温条件下低碳城市生活污水实现部分亚硝化的方法，控制简单，稳定性强。