-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102129023B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201110026227.X
申请日：2011-01-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种测量半导体器件有源区薄层材料中热传导参数的方法涉及半导体器件测试领域。现有技术中有源区同时起到发热区和温度探测区的作用，热量在薄层中的传导速度也无法测量。采用本方法制备的测试芯片，将热源区和温敏探测区空间上分开。加热和测量过程可以同时进行，不存在时间延迟，可以测量出实际器件结构的热时间常数达到纳秒量级(依高速A/D采集卡的速度而定)。本发明可以实现测试器件实际有源区薄层热传导参数的目的，如GaN HEMT等基于肖特基栅结构的器件，也可以用于特定薄膜材料的热传导参数测定。
-
公开(公告)号：CN101435852B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200810239394.0
申请日：2008-12-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种电学法测量结型半导体发光器件光效退化参数的方法属于半导体发光器件产品的质量监控领域。半导体发光器件(发光管和激光器)的发光效率η是决定产品退化和工作寿命的重要参数。发光效率的测量通常使用光学仪器。本技术利用光效与器件温升和热阻的关系，通过使用电学参数方法，测量器件的温升和热阻随老化工作时间的变化关系，测出发光器件光效的退化参数。本技术适用于半导体发光器件产品的质量监控，可靠性分析和寿命预测的生产和研究等领域。
-
公开(公告)号：CN202159116U
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201120249012.X
申请日：2011-07-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 功率半导体LED热阻快速批量筛选装置属于半导体LED及相关PN结器件热阻考核和筛选技术领域。该装置从上至下包括：热学接触板，被测器件夹具板，针台；热学接触板，包括上下两层：上板材、下板材，在下板材上钻有需要测试LED数量的孔；被测器件夹具板，在上面制备出多个LED出光端透镜大小的圆孔，每个圆孔两侧直径端对称向外方向各刻出一方形豁口，豁口的侧壁有上下连通的覆铜层两个电极，LED出光端朝下，管座端朝上；且LED管座端对准上述小的圆柱体；针台，在与每个LED的两电极对应的位置下面，固结两只朝上的探针，探针下方设有弹簧，并且探针外引出LED的电极，并通过针台上的引线，接入针台的插针接口。
-
公开(公告)号：CN201859879U
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201020535684.2
申请日：2010-09-17
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片属于半导体技术，特别是半导体器件失效评估领域。本实用新型提供了一种专门测量欧姆接触退化的芯片，其特征在于：在至少有6个圆环电极的CTLM欧姆接触测试芯片的圆环形欧姆接触表面淀积有SiO2绝缘介质层，在CTLM欧姆接触测试芯片的另一面有利用金属镀膜工艺制备的背电极，然后在每个圆环电极上固接出一个外引电极；每个圆环电极和外引电极的固接点都在一条直线上。本实用新型测量芯片不但可以测量半导体芯片欧姆接触电阻率随施加电流的变化关系以及随施加电流时间的关系，同时测量芯片可以满足大电流冲击要求。因此，使用本实用新型芯片能更为准确有效的评估欧姆接触。
-
公开(公告)号：CN201653950U
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201020125895.9
申请日：2010-03-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本实用新型涉及一种测量电子元器件工作结温和热阻的装置，属于电子器件的生产测量领域。装置特征在于：被测器件置于一真空系统中，该真空系统留有接线柱与外部装置相连；外部装置包括A/D采集板、计算机、电源、和加热电源；被测器件通过真空系统中接线柱，与电源连接；在靠近被测器件的热源部分即有源区处放置一温敏电阻A，温敏电阻A通过接线柱与A/D采集板连接；将另一温敏电阻B通过接线柱与A/D采集板连接，并将温敏电阻B与加热薄片一面接触，加热薄片另一面与被测器件的底部即散热端点接触；加热薄片通过接线柱与加热电源连接；计算机连接电源、A/D采集板、加热电源。本实用新型对半导体器件或功能模块的封装形式没有要求，且属于非破坏性测试。
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.015 seconds)
