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公开(公告)号：CN109613594B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201811548420.8
申请日：2018-12-18
Applicant: 北京大学
IPC: G01T1/24
Abstract: 本发明提供一种中性原子成像单元、成像仪、成像方法及空间探测系统，中性原子成像单元包括至少一组探测单元，至少一组探测单元包括：至少一个半导体探测器线阵列；以及设置在至少一个所述半导体探测器线阵列的前方并且与至少一个所述半导体探测器线阵列一一对应设置的至少一个调制栅格，调制栅格对入射的中性原子进行傅里叶变换；半导体探测器线阵列的方向与所述调制栅格的狭缝方向一致。本发明首次将栅格成像技术应用于中性原子探测及成像领域，大大提高了中性原子的成像效率，缩短了成像所需的时间，提高了中性原子成像探测的计数率。本发明的中性原子成像方法，不会受到空间极紫外/紫外辐射的影响，获得更好的成像效果。
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公开(公告)号：CN107831526A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711065122.9
申请日：2017-11-02
Applicant: 北京大学
IPC: G01T1/36
CPC classification number: G01T1/36
Abstract: 本发明提供一种中能电子探测单元、探测探头及探测器。中能电子探测单元包括屏蔽壳和多个位置灵敏探测器；屏蔽壳的一面开有小孔；位置灵敏探测器面向小孔设置在屏蔽壳内；多个位置灵敏探测器被设置于同一平面上，且位于一条直线上。中能电子探测探头包括探测单元支架和多个中能电子探测单元；多个中能电子探测单元小孔朝外地固定安装在探测单元支架上，且安装在探测单元支架上的多个中能电子探测单元位于同一平面内，且对称轴交于一点；多个中能电子探测单元的探测张角之和为180度。本发明采用了小孔成像技术，实现了同时对多方向入射的50-600keV中能电子的能谱信息的精确测量。
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公开(公告)号：CN103323764A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310268800.7
申请日：2013-06-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种硅PIN半导体探测器漏电流检测仪及其检测方法。本发明的漏电流检测仪包括：可调负高压电源模块、探测器偏压测量模块、取样电阻网络及探测器漏电流测量模块；取样电阻网络包括第一、第二和第三电阻R1、R2和R3；R2和R3串联，然后与R1并联；并且设置两组开关，分别测量不同范围的漏电流。本发明对硅PIN半导体探测器的特性进行了针对性设计，具有测量极小漏电流(0.1nA)、大漏电流范围(0.1nA到200μA)、检测击穿电压等功能，另外具有测试环境简单、使用方便、测量准确、成本低廉等特点，非常方便硅PIN半导体探测器的筛选和长期老化测试。
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公开(公告)号：CN116359972A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310356941.8
申请日：2023-04-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种粒子辐射探测装置，包括：探测模块和读出模块，其中，所述探测模块，适于对粒子辐射进行探测，并转化为初始电信号；所述读出模块，与所述探测模块耦接，适于基于所述初始电信号，输出探测信号；所述探测模块和所述读出模块之间的耦合方式基于所述探测模块的尺寸确定，以使所述探测信号的噪声小于预设噪声阈值。采用上述技术方案，可以降低探测信号的噪声。
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公开(公告)号：CN114156040B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111307837.7
申请日：2021-11-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种强磁场低漏磁正负电子磁谱仪匀强磁场产生装置，包括匀强磁场发生装置和磁场屏蔽装置；所述匀强磁场发生装置用于生成匀强磁场；包括双向对称、共轭放置的4块永磁体；所述磁场屏蔽装置设置在所述匀强磁场发生装置外部，用于向外屏蔽所述匀强磁场。本发明的强磁场低漏磁正负电子磁谱仪匀强磁场产生装置能够实现两组小型化正负电子磁谱仪探头所需的匀强磁场，满足小型化的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113514789A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110463248.1
申请日：2021-04-23
Applicant: 北京大学
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供一种磁传感器阵列校准方法，该方法通过构建磁传感器阵列的正交坐标系，确定磁传感器测量的磁场的输出值与标准磁场的实际值之间的函数关系，并根据记录的磁传感器的输出值获得磁传感器的转换系数。本发明提供了一种磁传感器阵列的准确校准方法，能够提高磁传感器阵列的校准精确度。另外，本发明还可以采用椭球拟合的方法获得所述磁传感器的每一个传感器轴对应的比例因子，并根据该比例因子以及转换系数与磁传感器的角度偏差之间的函数关系，进一步获得磁传感器的角度偏差。
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公开(公告)号：CN113489313A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110690049.4
申请日：2021-06-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种增大电压调节范围的电路，包括第一电源的正极与第一光电耦合器的一端相连，第一光电耦合器的另一端与第一电阻的第一端相连，第一电阻的第二端与第三电阻的第一端相连，第三电阻的第二端与第一电源的负极相连；第二电源的正极与第二光电耦合器的一端相连，第二光电耦合器的另一端与第三电阻的第二端相连，第三电阻的第一端与第二电阻的第一端相连，第二电阻的第二端与第二电源的负极相连；负载电阻一端与第一电阻的第一端相连，另一端与第二电阻的第二端相连，第一电阻的第一端为输出电压的输出端，输出电压的采样端位于所述负载电阻的两端之间。本发明的增大电压调节范围的电路能够增大输出电压上限，且调节速度快和纹波水平低。
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公开(公告)号：CN110308476B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201910698054.2
申请日：2019-07-31
Applicant: 北京大学
IPC: G01T1/36
Abstract: 本发明提供一种粒子辐射探测方法及探测装置，该方法包括对放大器产生的与粒子沉积能量对应的电脉冲信号进行脉冲宽度甄别，并输出与电脉冲信号幅度相对应的逻辑信号。本发明通过建立脉冲幅度与脉冲宽度之间的关系，以脉冲宽度分析方法获得脉冲幅度值，根据脉冲幅度值的甄别和计数实现粒子能谱通量的测量。脉冲宽度分析解决了脉冲峰值电压与甄别器电压上限之间的矛盾，不会因电压上限限制影响脉冲从宽度到幅度的分析结果，因此能够实现超过甄别器电压上限的粒子能谱探测，提高探测的能谱范围。脉冲宽度分析采用数字电路完成，无需对脉冲峰值进行识别及保持，也无需脉冲幅度的模数转换，简化电路设计，更加适合低电压工作，并提高探测的准确度。
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公开(公告)号：CN109738933B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910030877.8
申请日：2019-01-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种中性原子降噪方法及降噪装置，该方法包括如下步骤：提供一准直偏转腔室，准直偏转腔室包括相对设置的两准直偏转板，所述准直偏转板具有一长度L，所述两偏转板之间具有间隔距离d；向所述准直偏转板提供偏转电压U；所述偏转准直腔室接收入射的夹杂带电粒子的中性原子，并对所述带电粒子进行偏转；其中，所述带电粒子的能量EK与所述偏转板的长度L、所述两准直偏转板之间的间隔距离d之间的关系如下：本申请的上述方法及装置，通过准直偏转板的长度与电压配合，选取适当的偏转电压和准直偏转腔室高度，实现对带电粒子的有效偏转，降低中性原子的噪声。从而使得探测器探测到纯净的中性原子并且获得良好的中性原子成像效果。
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公开(公告)号：CN110308476A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910698054.2
申请日：2019-07-31
Applicant: 北京大学
IPC: G01T1/36
Abstract: 本发明提供一种粒子辐射探测方法及探测装置，该方法包括对放大器产生的与粒子沉积能量对应的电脉冲信号进行脉冲宽度甄别，并输出与电脉冲信号幅度相对应的逻辑信号。本发明通过建立脉冲幅度与脉冲宽度之间的关系，以脉冲宽度分析方法获得脉冲幅度值，根据脉冲幅度值的甄别和计数实现粒子能谱通量的测量。脉冲宽度分析解决了脉冲峰值电压与甄别器电压上限之间的矛盾，不会因电压上限限制影响脉冲从宽度到幅度的分析结果，因此能够实现超过甄别器电压上限的粒子能谱探测，提高探测的能谱范围。脉冲宽度分析采用数字电路完成，无需对脉冲峰值进行识别及保持，也无需脉冲幅度的模数转换，简化电路设计，更加适合低电压工作，并提高探测的准确度。
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