公开(公告)号：CN108807553B

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN201810634014.7

申请日：2018-06-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  贾润东 ,  黄芊芊 ,  王慧敏 ,  陈亮 ,  陈诚 ,  赵阳

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体材料的同质PN结及其制备方法。两种功函数不同的半导体材料垂直堆叠时，电子会从费米能级较高的二维半导体材料向费米能级较低的材料进行转移，从而对费米能级较低的半导体材料产生N型掺杂，对费米能级较高的半导体材料产生P型掺杂。本发明利用这种掺杂方法在二维半导体材料中形成同质的突变PN结，同时不会在禁带中引入带尾，对于电子器件应用具有十分重要的意义；且该掺杂方法不存在由于离子碰撞产生的晶格损伤，同时稳定性大幅提升，制备工艺简单，易于推广到大规模生产。

公开(公告)号：CN106887460B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201710165309.X

申请日：2017-03-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  王慧敏 ,  黄芊芊

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种负电子压缩率‑超陡亚阈斜率场效应晶体管及其制备方法。本发明在器件亚阈区，第一常规栅介质层和第二常规栅介质层构成常规栅介质电容，负电子压缩率栅介质层构成NEC电容，使得常规栅介质电容的电容大于NEC电容的绝对值，从而两个串联电容为负值，实现栅控制系数小于1，抑制了栅泄露电流，从而使栅压对沟道表面势有超常的控制能力使器件拥有超陡亚阈值斜率；并且，器件中NEC栅介质层在电子尺度的变化能够使其宏观特性不再回滞并且无材料疲劳性，所以在降低器件功耗的基础上，解决了传统铁电NCFET的问题，对于未来的低功耗集成电路产业发展，具有广阔应用前景。