-
公开(公告)号：CN118748033A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410743692.2
申请日：2024-06-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电化学随机存取存储器的全并行向量外积计算操作方法，包括构建以电化学随机存取存储器及其栅极选通晶体管为基本单元的存储器阵列，以及相应的随机脉冲更新方法。其中，电化学随机存取存储器的电导变化与刺激脉冲数目成高度线性关系，在不施加刺激脉冲的时候，器件沟道电导保持不变，呈现非易失特性。通过随机脉冲编程，可以原位进行器件的电导更新和在线训练，并行完成向量外积计算，并将计算结果存储在器件的电导中，进行后续的网络存内计算加速，避免了额外的数据搬运，有效降低了操作复杂度和器件编程延迟。除此之外，该方案可以扩展到和赫布学习规则相关的网络训练范式中，加速相关算法的训练过程。
-
公开(公告)号：CN116456727A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310699956.4
申请日：2023-06-14
Applicant: 北京大学
IPC: H10B63/00
Abstract: 本发明公开了一种能够保持循环间开关比的阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括衬底及其上的底电极‑阻变层‑储氧层‑离子阻挡层‑顶电极叠层结构，其中离子阻挡层的厚度为1~5 nm，成分为MOn，M为特定金属元素，选自Ta、Hf、Al、Ti、Zr、W，1≤n≤3。通过在器件储氧层和顶电极之间引入一层离子阻挡层，器件循环操作过程中的氧离子在储氧层和顶电极之间的扩散会被阻断，从而保证了功能层中的氧离子在不同极性电压下发生可逆的迁移，进而可以使得器件在循环操作下的开关比得以保持。同时，该阻变存储器具有低操作电压及制备工艺与传统CMOS工艺相兼容的优点，便于推广应用。
-
公开(公告)号：CN116096223B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310379304.2
申请日：2023-04-11
Applicant: 北京大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低操作电压高一致性忆阻器及其制备方法。所述忆阻器是在上下层电极之间设有掺氮缺陷层和功能层，所述掺氮缺陷层成分为MOxNy，其中M选自下列过渡金属元素中的一种或多种：Ta，Hf，Zn，Ni，Ti，W；1≤x≤2.5，0.01≤y≤0.5。本发明采用氧含量比例较高同时轻微掺杂氮的掺氮缺陷层，通过调整功能层材料厚度及合理控制其成分可以实现不同阻值和操作电压，最终实现了具有低操作电压的忆阻器件。本发明忆阻器的低操作电压特性和制备工艺与传统CMOS工艺相兼容的优点，对于存内计算硬件的最终实现有着重要的意义。
-
公开(公告)号：CN111012532A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911339689.X
申请日：2019-12-23
Applicant: 北京大学口腔医学院
IPC: A61C8/00
Abstract: 本发明公开了具有翼固位结构的短种植体,包括短种植体部，以及自短种植体部上部侧壁向外延伸出的翼固位结构，翼固位结构包括固定连接短种植体部上部侧壁的中心连接体，以及多个与中心连接体相连的固位翼板，中心连接体和固位翼板的下表面均设为与牙槽骨骨面形状适配的贴合面；每个固位翼板包括第一连接杆体和第一螺孔板，第一螺孔板通过第一连接杆体与所述中心连接体连接，第一螺孔板开设有可穿设自攻螺丝的螺丝孔，第一螺孔板通过自攻螺丝固定于牙槽骨上；短种植体部上表面开设安装孔。该短种植体能够缩短插入骨组织内的种植体长度，在骨量不足的情况下，不需要进行骨增量操作即可实现种植牙的稳定固定。
-
公开(公告)号：CN118773111A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410701391.3
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京大学人民医院
IPC: C12N5/00 , C12N5/0775 , C12N5/077 , C12N5/0786 , A23L33/10 , A61K35/28 , A61P39/06
Abstract: 本发明涉及生物医药技术领域，具体涉及细胞外泌体的获取方法及其应用。本发明针对大规模生产高治疗功效的细胞外囊泡(EVs)而设计。利用本发明的三维(3D)细胞培养方法，可以优化人脐带间充质干细胞(MSCs)的生长状态，从而增加了细胞分泌高治疗功效EVs的能力。经过实验证实，利用本发明的技术不仅能够促进MSCs的增殖，还能够延缓细胞衰老过程。与传统的二维培养技术相比，采用3D培养的MSCs分泌的EVs含量更高，且具有更强的促进软骨细胞和人真皮成纤维细胞增殖、迁移和抗衰老能力，同时还能够促进巨噬细胞从促炎型向抗炎型的极化。这项创新有望在炎症性疾病和组织再生修复领域发挥重要作用，并具有广阔的应用前景。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116741235A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310673208.9
申请日：2023-06-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种读写可重构的忆阻器存算一体系统，包括由M×N个1T1R结构单元组成的忆阻器阵列，每一列设置一条字线WL和一条源线SL，每一行设置一条位线BL，WL与SL平行，而BL与WL和SL垂直；在1T1R结构单元中，晶体管的源端连接SL，栅极连接WL，忆阻器的一端连接晶体管的漏端，另一端连接BL；阵列读出数据既可以从BL端输出，也可以从SL端输出，具有可重构性。该忆阻器存算一体系统可以有效防止阵列操作过程中所施加电压超过晶体管额定电压；结合本发明的操作方式，在对阵列进行读写时可以有效防止串扰与漏电，可以在无漏电情况下进行批量Forming/Set/Reset操作。
-
公开(公告)号：CN113822422B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202111043411.5
申请日：2021-09-07
Applicant: 北京大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的混合集成电路单元，实现对异或型树突的核心功能模拟。本发明利用二极管的非线性、忆阻器RESET的电学特性以及晶体管的沟道电阻可调的特点，将三者进行串联实现异或型树突的“异或”逻辑以及模拟抑制性信号施加时对逻辑功能的影响。其异或型树突的非线性电学特性可以作为神经网络中的激活函数，使得单层感知机网络即可区分线性不可分的数据，其简单的电路单元结构比传统的CMOS激活函数单元需要更少的器件数量以及更小的面积，因此可以明显优化芯片整体性能。
-
公开(公告)号：CN116240166A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310155771.7
申请日：2023-02-07
Applicant: 北京大学人民医院
IPC: C12N5/077 , C12N5/0775
Abstract: 本发明涉及生物材料领域，具体涉及一种骨软骨类器官自组装方法及应用。本发明提供一种基于普通微载体进行个性化改造的策略，利用透明质酸诱导干细胞成软骨分化的特性，以及羟基磷灰石诱导干细胞成骨分化的特性，制备出具有更强成软骨和成骨诱导分化能力的微载体。软骨微载体和骨微载体具有良好的生物相容性，能够促进细胞增殖和粘附，与普通微载体相比，双向自组装微载体具有更强的成软骨和成骨诱导分化能力，本发明所得微载体在骨软骨损伤修复领域将发挥重要作用和广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN113822422A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111043411.5
申请日：2021-09-07
Applicant: 北京大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的混合集成电路单元，实现对异或型树突的核心功能模拟。本发明利用二极管的非线性、忆阻器RESET的电学特性以及晶体管的沟道电阻可调的特点，将三者进行串联实现异或型树突的“异或”逻辑以及模拟抑制性信号施加时对逻辑功能的影响。其异或型树突的非线性电学特性可以作为神经网络中的激活函数，使得单层感知机网络即可区分线性不可分的数据，其简单的电路单元结构比传统的CMOS激活函数单元需要更少的器件数量以及更小的面积，因此可以明显优化芯片整体性能。
-
公开(公告)号：CN113288468A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110602153.3
申请日：2021-05-31
Applicant: 北京大学口腔医学院
Abstract: 本发明提供了牙龈弧度塑形装置及其制备方法，该装置包括两个用于连接牙槽骨的连接单元，以及用于牙龈弧度塑形的塑形复合体单元，塑形复合体单元安装于两个连接单元之间；连接单元包括一颗或多颗与多牙缺失区域的缺失牙相适配的第一冠修复体，种植体，以及连接第一冠修复体和种植体的修复基台；塑形复合体单元包括左、右两端分别固定连接与之相邻的第一冠修复体的承压部，用于顶推牙龈的压头，及连接压头和承压部的弹性连接部件，压头安装于承压部上方，与缺失牙所对应的牙龈一一对应设置；压头的上表面包括与牙龈接触的顶推面，顶推面设为与其对应的缺失牙的对侧同名牙的牙龈弧面互补的凸出弧面。该装置通过定量施压对前牙美学区缺牙患者实施牙龈塑形。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.034 seconds)
