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公开(公告)号：CN103329279A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201180065726.8
申请日：2011-12-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 本发明涉及太阳能电池，是在至少具有pn结的结晶硅基板上形成钝化膜、经过导电性糊的印刷和热处理的工序形成电极的太阳能电池，其特征在于，具有：以将光生成的载流子从硅基板取出的取出电极与硅基板接触的方式形成的第1电极、和以将在上述第1电极收集的载流子收集的集电极与上述第1电极接触的方式形成的第2电极，上述第2电极和硅基板至少在第1电极和第2电极的接触点以外只部分地相接或完全不相接，根据本发明，通过在集电极与硅之间使钝化膜完全或部分地残留，从而能够使在电极/硅界面的电荷损失减少，改善短路电流、开路电压，提高太阳能电池特性。此外，工序能够采用以往的丝网印刷技术等实现，对于成本削减极其有效。
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公开(公告)号：CN119768894A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380061363.3
申请日：2023-08-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 桥上洋
IPC: H01L21/205 , C23C16/40 , C30B25/02 , C30B29/16 , H01L21/208 , H01L21/365 , H01L21/368
Abstract: 本发明是一种成膜方法，其特征在于，包括以下步骤：将原料溶液雾化以形成原料雾气的步骤；将所述原料雾气与载气混合以形成混合气体的步骤；将基板载置在基座的载置部的步骤；从雾化手段向所述基板供给所述混合气体并通过热反应在所述基板上进行成膜的步骤；以及通过排气手段排出所述成膜后的混合气体的步骤；在从雾化手段向所述基板供给所述混合气体并通过热反应在所述基板上进行成膜的步骤中，将所述混合气体的至少一部分从与所述载置部相邻且表面粗糙度为200μm以下的平滑部供给至所述基板的表面。由此，提供一种能够在大直径基板的表面均匀且稳定地制造高质量膜的成膜方法。
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公开(公告)号：CN112601839B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN201980055286.4
申请日：2019-06-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/448
Abstract: 本发明为一种成膜方法，其是在成膜部对雾进行热处理而进行成膜的成膜方法，其包括：在雾化部将原料溶液雾化而产生雾的工序；经由连接所述雾化部和所述成膜部的输送部，通过载气将所述雾从所述雾化部输送至所述成膜部的工序；以及，在所述成膜部对所述雾进行热处理，从而在基体上进行成膜的工序，当将所述载气的流量设为Q(L/分)、将所述载气的温度设为T(℃)时，以7＜T+Q＜67的方式对所述载气的流量和所述载气的温度进行控制。由此可以提供一种成膜速度优异的成膜方法。
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公开(公告)号：CN113196458B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN201980083078.5
申请日：2019-12-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/365 , H01L21/368 , C23C16/40 , C23C16/448
Abstract: 本发明为一种氧化镓膜的制造方法，其为使用载气搬运将原料溶液雾化或液滴化而生成的雾，并加热所述雾，使所述雾在基体上进行热反应从而进行成膜的氧化镓膜的制造方法，其中，使用至少包含氯化物离子与镓离子的原料溶液作为所述原料溶液，将加热所述雾的时间设为0.002秒以上6秒以下。由此，可提供一种低成本且成膜速度优异的α‑氧化镓膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN118401700A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280086225.6
申请日：2022-12-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 桥上洋
IPC: C23C16/448 , C23C16/40 , H01L21/365 , H01L21/368
Abstract: 本发明是一种成膜装置，其特征在于，具备：雾化单元，其使原料溶液雾化而形成原料雾；载气供给单元，其运送所述原料雾；雾供给单元，其向基体表面供给将所述原料雾和所述载气混合而成的混合气体；台，其载置所述基体；测量单元，其直接或间接地测量所述原料雾的供给量，输出与通过该测量所获得的测量值相对应的信号；以及，控制单元，其接收所述信号，根据所述信号调节所述原料雾的供给量。由此，提供一种成膜装置，其原料供给的控制性优异，能够稳定地制造高品质的膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117098879A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202280026055.2
申请日：2022-03-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 桥上洋
IPC: C30B25/02
Abstract: 本发明提供一种层叠体的制造方法，所述层叠体包括具有刚玉型结晶结构的半导体膜，所述层叠体的制造方法的特征在于包括下述步骤：将基体载置于载台；对所述基体进行加热；使成膜用原料溶液雾化；使所述雾化的成膜用原料溶液与载气混合而形成混合气体；以及将所述混合气体供给至所述基体进行成膜，将所述载台的与所述基体的接触面、以及所述基体的与所述载台的接触面的表面粗糙度Ra设为0.5μm以下。由此，提供一种能够稳定地形成结晶取向性优异且高品质的刚玉型结晶薄膜(具有刚玉型结晶结构的半导体膜)的厚膜的、层叠体的制造方法。
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公开(公告)号：CN116940708A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280019526.7
申请日：2022-03-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明的成膜装置对经雾化的原料溶液进行热处理而在基板上进行成膜，所述成膜装置包括：雾化部，将所述原料溶液雾化而产生雾；载气供给部，供给载气，所述载气搬送所述雾化部中所产生的所述雾；成膜部，在内部包括载置所述基板的载置部，将由所述载气搬送的所述雾供给至所述基板上；以及排气部，从所述成膜部排出废气，且在所述成膜部内的所述载置部的上方进而包括：喷嘴，向所述基板上供给所述雾；以及顶板，将从所述喷嘴供给的所述雾进行整流。由此，提供一种能够应用雾CVD法、能够形成膜厚的面内均一性优异的膜的成膜装置、及成膜方法。
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公开(公告)号：CN110121787B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201680090392.2
申请日：2016-10-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/18 , H01L31/0288
Abstract: 本发明是一种太阳能电池，其是于具有第一导电型的半导体基板的第一主表面上，拥有具有第一导电型的基极层、及邻接于基极层且具有与第一导电型相反的导电型的第二导电型的射极层，至少于基极层上具有基极集电电极的太阳能电池，其中基极集电电极的一部分亦配置于射极层上，此射极层邻接于配置有基极集电电极的基极层。由此，提供廉价且光电变换效率高的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN103329280A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201180065728.7
申请日：2011-12-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳能电池，是在结晶硅基板的受光面侧形成添加了具有与上述硅基板相反的导电型的掺杂剂的发射极层，在上述硅基板的表面形成钝化膜，形成了将光生成的电荷从硅基板取出的取出电极和至少部分地与上述取出电极相接、收集用上述取出电极收集的电荷的集电极的太阳能电池，其特征在于，上述取出电极包含第1电极，该第1电极是含有赋予硅以导电性的掺杂剂的导电性糊的烧结体，以至少上述第1电极贯通上述钝化层的方式形成，上述集电极包含具有比上述第1电极高的导电性的第2电极，根据本发明，在使硅与电极的接触电阻损失和在电极电阻的电阻损失减小的同时，能够使发射极层的光学的和电的损失减小，能够使太阳能电池特性大幅地提高。
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公开(公告)号：CN119032418A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202380034925.5
申请日：2023-04-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 桥上洋
IPC: H01L21/365 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/368
Abstract: 本发明是一种成膜方法，包含：对原料溶液进行雾化而形成原料雾的步骤；将所述原料雾与载气混合而形成混合气的步骤；将基体载置于台的步骤；将所述混合气从混合气供给元件向所述基体供给，并在所述基体上通过热反应进行成膜的成膜步骤；以及利用排气元件对成膜后的所述混合气进行排气的排气步骤，该成膜方法的特征在于，在所述基体上，以隔着空间与所述基体相对的方式配置通道板，在所述基体上的所述空间，以所述混合气沿着所述基体的主表面的至少一部分的方式，形成从所述混合气供给元件朝向所述排气元件呈直线流动的混合气流，在所述成膜步骤和所述排气步骤中，至少控制所述混合气供给元件的温度T1和所述通道板的温度T2。由此，提供一种能够在大直径基体表面稳定地制造高品质的膜的成膜方法及成膜装置。
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