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公开(公告)号：CN1159071A
公开(公告)日：1997-09-10
申请号：CN96121054.0
申请日：1996-10-04
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02032 , H01L21/3221 , H01L21/3223 , H01L21/3226 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L31/1892 , Y02E10/50
Abstract: 生产平整、质量好SOI衬底的方法，同时包括多孔形成步骤，在硅衬底的至少一个表面上形成多孔硅层；及大孔隙率层形成步骤，在多孔硅层中形成大孔隙率层。把离子注入多孔硅层并伸入到给定区域，或者在多孔形成步骤中改变阳极氧化的电流密度，进行大孔隙率层形成步骤。在多孔硅层上面外延生长非多孔单晶硅层。把多孔硅层表面和支撑衬底连接在一起，在具有大孔隙率的多孔硅层处进行分离。接着进行选择刻蚀，以便除掉多孔硅层。通过重复利用衬底能节省资源和降低成本。
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公开(公告)号：CN102760747B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201210128498.0
申请日：2012-04-27
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L51/0018 , H01L27/3211 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供有机电致发光显示装置的制造方法，其包括：在第一电极上形成有机化合物层的有机化合物层形成步骤；在该有机化合物层上形成剥离层的剥离层形成步骤；将该剥离层图案化的剥离层的第一加工步骤；将没有被在该剥离层的第一加工步骤中已被加工的剥离层覆盖的区域中的有机化合物层除去的有机化合物层加工步骤；和将该剥离层的一部分除去的剥离层的第二加工步骤，其中该剥离层是由电荷传输性有机化合物形成的沉积膜并且被含有与水混溶的有机溶剂的溶剂溶解。
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公开(公告)号：CN102983281B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210318623.4
申请日：2012-08-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L27/3211 , H01L51/5209 , H01L51/5225
Abstract: 本发明公开了有机发光装置及其制造方法。在通过光刻法构图的多个有机化合物层的端部之中，不位于发光元件之间的区域中并且位于被第二电极覆盖的区域中的端部形成为与位于发光元件之间的端部相比具有更小的倾角。
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公开(公告)号：CN102760747A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210128498.0
申请日：2012-04-27
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L51/0018 , H01L27/3211 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供有机电致发光显示装置的制造方法，其包括：在第一电极上形成有机化合物层的有机化合物层形成步骤；在该有机化合物层上形成剥离层的剥离层形成步骤；将该剥离层图案化的剥离层的第一加工步骤；将没有被在该剥离层的第一加工步骤中已被加工的剥离层覆盖的区域中的有机化合物层除去的有机化合物层加工步骤；和将该剥离层的一部分除去的剥离层的第二加工步骤，其中该剥离层是由电荷传输性有机化合物形成的沉积膜并且被含有与水混溶的有机溶剂的溶剂溶解。
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公开(公告)号：CN102479484A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110372026.5
申请日：2011-11-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G09G3/32
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0426 , G09G2300/043 , G09G2300/0814 , G09G2300/0819 , G09G2320/02 , G09G2320/028
Abstract: 本发明涉及有机EL显示装置。提供一种有机EL显示装置，在该有机EL显示装置中，根据用户使用有机EL显示装置的情形，可选择“具有高的光利用效率和高的正面亮度(发光效率)的显示”或“具有大的视角的显示”。像素均包含具有相互不同的光学特性的子像素(101、102)，并且，分别以交错图案布置像素和子像素。此外，子像素(101、102)被独立地控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102376743A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110221733.4
申请日：2011-08-04
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L51/5275
Abstract: 本发明涉及有机电致发光显示装置。所述有机电致发光显示装置包括多个像素，所述多个像素中的每一个包含至少一个有机电致发光器件和透镜。各像素包含设置有透镜的发光区域和没有设置透镜的发光区域。设置有透镜的发光区域的面积比没有设置透镜的发光区域的面积小。
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公开(公告)号：CN101822125A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200980100656.8
申请日：2009-06-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L27/3209 , H01L51/005 , H01L51/0054 , H01L51/006 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5036 , H01L51/5203 , H01L51/56
Abstract: 提供了一种用于有机电致发光显示装置的制造方法，其中，在电极层或有机化合物层的部分去除处理期间保持处理均匀性。所述有机电致发光显示装置包括：基板；以及发光器件，其包括被夹在所述基板中形成的电极之间的有机化合物层，所述有机化合物层包括发光层，其中：两个或更多个发光器件被提供，并且所述发光器件被堆叠在与基板垂直的方向上；在所述两个或更多个发光器件中的电极和有机化合物层中的至少一个包括开口；以及所述开口被定位成在与基板垂直的方向上彼此不重叠。
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公开(公告)号：CN1157768C
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN98111680.9
申请日：1998-12-25
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 佐藤信彦
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/2007 , H01L21/30604 , H01L21/76254 , H01L21/76256
Abstract: 提供一种腐蚀半导体工件的方法和制备半导体工件的方法。其中，通过在含氢还原气氛中进行热处理，对半导体工件例如在其表面上具有形成在绝缘体上的单晶硅膜的SOI衬底进行腐蚀，以在表面上去除期望的高度并使其平滑。该方法的特征在于，在腐蚀处理过程中，在炉内单晶硅膜与含氧化硅的表面相对布置，使它们相互作用，从而腐蚀所述硅表面。
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公开(公告)号：CN1118085C
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN98108877.5
申请日：1998-03-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/2007
Abstract: 提供一种制备高质量的SOI晶片且具有极好的可控性和生产率、经济的方法、以及用该方法制备的晶片，在利用粘结晶片制备的衬底中，粘结后，在形成于第一Si衬底(2)的主表面内包括的低孔隙率层和高孔隙率层的高孔隙率层的界面进行分离，由此无孔层转移到第二衬底。在高孔隙率层的分离后，通过如氢气退火的光滑工艺不进行选择性腐蚀，就可将残留的低孔隙率的薄层制成无孔。
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公开(公告)号：CN1199920A
公开(公告)日：1998-11-25
申请号：CN98108877.5
申请日：1998-03-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/2007
Abstract: 提供一种制备高质量的SOI晶片且具有极好的可控性和生产率、经济的方法、以及用该方法制备的晶片,在利用粘结晶片制备的衬底中,粘结后,在形成于第一Si衬底2的主表面内包括的低孔隙率层和高孔隙率层的高孔隙率层的界面进行分离,由此无孔层转移到第二衬底。在高孔隙率层的分离后,通过如氢气退火的光滑工艺不进行选择性腐蚀,就可将残留的低孔隙率的薄层制成无孔。
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