记录介质
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103991302B

    公开(公告)日:2016-06-01

    申请号:CN201410055216.8

    申请日:2014-02-18

    Abstract: 本发明涉及记录介质。记录介质依次包括基材和包括第一墨接收层和第二墨接收层的墨接收层。第一墨接收层包含含有氧化铝和二氧化硅颗粒的第一无机颗粒和第一粘结剂。第一墨接收层中,第一粘结剂与第一无机颗粒的质量比为0.13-0.33,并且氧化铝颗粒与二氧化硅颗粒的质量比为0.43-2.33。第二墨接收层包含第二无机颗粒和第二粘结剂。第二粘结剂与第二无机颗粒的质量比为0.05-0.30。第二墨接收层具有2μm-10μm的厚度,并且墨接收层的总厚度为10μm-30μm。

    记录介质
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104339910A

    公开(公告)日:2015-02-11

    申请号:CN201410384073.5

    申请日:2014-08-06

    CPC classification number: B41M5/5218 B41M5/502 B41M5/52 B41M5/5227

    Abstract: 本发明涉及一种记录介质。一种记录介质,其具有基材和墨接收层,其中所述墨接收层含有胶体二氧化硅、锆化合物、铵盐和羟基羧酸,并且包含于所述墨接收层中的所述胶体二氧化硅的90%以上存在于距离所述记录介质的最外表面沿深度方向0nm以上且300nm以下的区域。

    记录介质
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104228387A

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201410282900.X

    申请日:2014-06-23

    Abstract: 本发明涉及一种记录介质。记录介质包括基材和墨接收层。所述墨接收层包含氧化铝颗粒、二氧化硅颗粒和粘结剂。当从表面侧向基材侧进行蚀刻时,通过X射线光电子光谱法进行的记录介质的组成分析提供,在0分钟的蚀刻时间时Si元素的存在量相对于Al元素与Si元素的合计存在量的比例为10原子%-90原子%,和在5分钟的蚀刻时间时Si元素的存在量相对于Al元素与Si元素的合计存在量的比例为50原子%以上。

    记录介质
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103991302A

    公开(公告)日:2014-08-20

    申请号:CN201410055216.8

    申请日:2014-02-18

    Abstract: 本发明涉及记录介质。记录介质依次包括基材和包括第一墨接收层和第二墨接收层的墨接收层。第一墨接收层包含含有氧化铝和二氧化硅颗粒的第一无机颗粒和第一粘结剂。第一墨接收层中,第一粘结剂与第一无机颗粒的质量比为0.13-0.33,并且氧化铝颗粒与二氧化硅颗粒的质量比为0.43-2.33。第二墨接收层包含第二无机颗粒和第二粘结剂。第二粘结剂与第二无机颗粒的质量比为0.05-0.30。第二墨接收层具有2μm-10μm的厚度,并且墨接收层的总厚度为10μm-30μm。

    记录介质
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103568617A

    公开(公告)日:2014-02-12

    申请号:CN201310344109.2

    申请日:2013-08-08

    CPC classification number: B41M5/502 B41M5/506 B41M5/52 B41M5/5218 B41M2205/42

    Abstract: 本发明涉及记录介质。一种记录介质依次包括支持体、包含第一无机颗粒和第一粘结剂的第一墨接收层、包含第二无机颗粒和第二粘结剂的第二墨接收层以及作为最外表面层并包含第三无机颗粒、第三粘结剂和不同于所述第三无机颗粒且具有1.0至20.0μm的平均二次粒径的颗粒的第三墨接收层。所述第一粘结剂的含量与所述第一无机颗粒的含量的质量比大于第二粘结剂的含量与第二无机颗粒的含量的质量比。所述具有特定平均二次粒径的颗粒的含量相对于所述第三无机颗粒的含量为0.5质量%以上。

Patent Agency Ranking