公开(公告)号：CN1237199C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN01109738.8

申请日：2001-03-29

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 和田俊司 ,  加藤之启

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/48 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L51/0021 ,  Y10T428/163

Abstract: 提供一种具有一透明导电薄膜的基片，该透明导电薄膜的逸出功高、表面光滑性好、电阻率低，从而确保耗电低、显示质量高。使用SnO2含量为4-6wt%的ITO烧结压坯用离子镀敷法在一玻璃基片1的表面上形成一ITO薄膜2。如此生成的ITO薄膜2的表面的逸出功为4.9-5.5eV，表面粗糙度为1-10nm，电阻率1.6×10-4Ω·m或以下。还提供一种使用该基片的有机EL装置，在该装置中，一有机多层薄膜(空穴迁移层5、发光层7和电子迁移层6)层压在该ITO薄膜2的表面上，然后一金属薄膜层4层压在该有机多层薄膜的表面上。

公开(公告)号：CN1525946A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN02813704.3

申请日：2002-05-30

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 清田正悟 ,  和田俊司 ,  加藤之启 ,  衣笠直己

IPC: C03C15/02 ,  C03C17/34 ,  C03C23/00 ,  H05B33/02 ,  H05B33/14

CPC classification number: C03C17/36 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3642 ,  C03C17/3657 ,  C03C17/3668 ,  C03C2217/78 ,  C03C2217/948 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5206

Abstract: 有机EL元件10由带ITO膜的基板4(所述带ITO膜的基板4由玻璃基板1、成膜在所述玻璃基板1的表面用于碱钝化的SiO2膜2、及成膜在SiO2膜2表面的ITO膜3构成)、成膜在ITO膜3的表面用于高效地将空穴注入发光层6的空穴传递层5、成膜在空穴传递层5的表面用于将电子注入发光层6的金属薄膜层7、利用被注入的空穴与电子的再结合而发光的发光层6构成。将玻璃基板1的表面平滑性控制在0nm≤Rz≤4nm的范围内。由此，能够不产生非发光点，并使耐久性提高。

公开(公告)号：CN1330168A

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN01109738.8

申请日：2001-03-29

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 和田俊司 ,  加藤之启

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/48 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L51/0021 ,  Y10T428/163

Abstract: 提供一种具有一透明导电薄膜的基片,该透明导电薄膜的逸出功高、表面光滑性好、电阻率低,从而确保耗电低、显示质量高。使用SnO