公开(公告)号：CN1135538A

公开(公告)日：1996-11-13

申请号：CN95121151.X

申请日：1995-12-28

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 酒见俊之 ,  田中胜

IPC: C23C14/24

CPC classification number: H01J37/32422 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/3266

Abstract: 在包括真空容器和设置在该真空容器内的等离子束发生器以及配置在真空容器内的主蒸发台，并使从等离子发生器发生的等离子束入射至主蒸发台上的等离子处理装置中，在主蒸发台附近相对主蒸发台的中心轴线同轴地配置永久磁铁和蒸发台线圈。通过使供给该蒸发台线圈的电流变化调整物质熔化的能力并且调整蒸镀物质蒸发粒子的飞行分布。

公开(公告)号：CN115142024A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210328654.1

申请日：2022-03-30

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 北见尚久 ,  酒见俊之

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/56 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54

Abstract: 本发明提供一种能够提高膜质量的成膜装置。在成膜装置(1)中，气体供给部(40)从主炉缸(17)侧朝向被引导至该主炉缸(17)的等离子体(P)供给包含构成膜的元素的气体。此时，气体供给部(40)能够向等离子体密度高的区域供给气体。由于被供给至该区域的气体的活性度提高，因此能够抑制基板(11)中的膜的元素的缺陷。综上所述，能够提高膜质量。

公开(公告)号：CN111364008A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN202010216059.X

申请日：2016-07-21

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 北见尚久 ,  酒见俊之 ,  山本哲也 ,  野本淳一

IPC: C23C14/32 ,  C23C14/56 ,  C23C14/08 ,  H05H1/24

Abstract: 本发明提供一种负离子生成装置，用于向对象物照射负离子，具备：等离子体源，向真空腔室内供给等离子体；以及使所述真空腔室内的等离子体的电子温度下降的单元。

公开(公告)号：CN107849690B

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201680045499.5

申请日：2016-07-21

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 北见尚久 ,  酒见俊之 ,  山本哲也 ,  野本淳一

IPC: C23C14/48 ,  C23C14/32

Abstract: 本发明提供一种成膜装置，将成膜材料成膜于成膜对象物，该成膜装置具备：真空腔室，容纳所述成膜对象物并进行成膜处理；成膜部，在所述真空腔室内使所述成膜材料的粒子附着于所述成膜对象物；及负离子生成部，在所述真空腔室内生成负离子。

公开(公告)号：CN110735116A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201910648876.X

申请日：2019-07-18

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 北见尚久 ,  酒见俊之 ,  山本哲也

IPC: C23C14/32 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明提供一种能够提高化合物半导体的制造效率及品质的负离子照射装置及负离子照射装置的控制方法。控制部(50)控制气体供给部(40)而向真空腔室(10)内供给气体。气体供给部(40)供给包含与形成化合物半导体(11)的离子相同的元素的气体。因此，在真空腔室(10)内存在与形成化合物半导体(11)的离子相同的元素。而且，控制部(50)通过控制等离子体生成部(14)而在真空腔室(10)内生成等离子体(P)及电子，并且，通过停止等离子体(P)的生成，由电子和气体生成负离子，并将该负离子照射到化合物半导体(11)上。

公开(公告)号：CN1232511A

公开(公告)日：1999-10-20

申请号：CN97198505.7

申请日：1997-09-26

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 酒见俊之 ,  田中胜

IPC: C23C14/32 ,  H01L21/203

Abstract: 一种离子喷镀装置是在真空容器11内配设的炉床30a、30b的周围各自设有内带环状永久磁铁的辅炉床31a、31b。在相邻的2个等离子体枪1A和1B上所设的环状永久磁铁21a和21b的磁极取向、电磁线圈22a和22b的磁极取向、导向线圈24a和24b的磁极取向以及内藏内2个炉床内的2个环状永久磁铁的磁极取向互为反向。

公开(公告)号：CN111364008B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202010216059.X

申请日：2016-07-21

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 北见尚久 ,  酒见俊之 ,  山本哲也 ,  野本淳一

IPC: C23C14/32 ,  C23C14/56 ,  C23C14/08 ,  H05H1/24

Abstract: 本发明提供一种负离子生成装置，用于向对象物照射负离子，具备：等离子体源，向真空腔室内供给等离子体；以及使所述真空腔室内的等离子体的电子温度下降的单元。

公开(公告)号：CN112144020A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010587965.0

申请日：2020-06-24

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 北见尚久 ,  酒见俊之 ,  山本哲也

IPC: C23C14/32 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明提供一种能够容易进行退火处理的负离子照射装置。控制部(50)控制电压施加部(90)在等离子体(P)生成期间开始向基板(11)施加偏置电压，并在等离子体(P)停止之后也持续向基板(11)施加偏置电压。如此，若在等离子体(P)生成期间开始向基板(11)施加偏置电压，则存在于真空腔室(10)中的电子因施加的电压的影响而照射于基板(11)。由此，电子照射于基板(11)的表面，由此基板(11)的表面通过电子冲击而被加热。在等离子体(P)停止之后也持续向基板(11)施加电压，因此生成的负离子照射于基板(11)的表面，并注入于该基板(11)。

公开(公告)号：CN104073766B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201410079015.1

申请日：2014-03-05

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 酒见俊之

IPC: C23C14/32

Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其能够降低因成膜对象物的位置产生的膜质的偏差。本发明的成膜装置（1）具备向真空腔室（10）内供给原料气体（在此为氧气）的原料气体供给部（30），并且具备对成膜对象物（11）局部地供给比原料气体活化的活化气体的活化气体供给部（40）。其中，通过成膜对象物（11）与沉积部（2）的位置关系，有时在成膜对象物（11）中的一部分中，与其他部分相比供给到膜中的氧变少。对于膜中的氧变少的部分，通过活化气体供给部（40）局部地供给氧的活化气体，从而能够弥补膜中的氧。因此，能够降低因成膜对象物（11）的位置产生的膜中的氧的偏差。综上，能够降低因成膜对象物（11）的位置产生的膜质的偏差。

公开(公告)号：CN107849690A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680045499.5

申请日：2016-07-21

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 北见尚久 ,  酒见俊之 ,  山本哲也 ,  野本淳一

IPC: C23C14/48 ,  C23C14/32

Abstract: 本发明提供一种成膜装置，将成膜材料成膜于成膜对象物，该成膜装置具备：真空腔室，容纳所述成膜对象物并进行成膜处理；成膜部，在所述真空腔室内使所述成膜材料的粒子附着于所述成膜对象物；及负离子生成部，在所述真空腔室内生成负离子。