公开(公告)号：CN113454858B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202080015129.3

申请日：2020-02-04

Applicant: 国立大学法人京都大学

Inventor： 野田进 ,  井上卓也 ,  吉田昌宏 ,  M·德佐萨

IPC: H01S5/18

Abstract: 二维光子晶体面发光激光器(10)具备：活性层(11)；以及光子晶体层(12)，其具有在配置于活性层(11)的一侧的板状的母材(121)上设置的、作为第1二维光子晶体区域的二维光子晶体光放大部(123)以及作为第2二维光子晶体区域的二维光子晶体光反射部(125)，二维光子晶体光放大部(123)具有放大部光子带隙(15)，该放大部光子带隙(15)是在倒易空间的规定的点具有能带端的2个光子能带之间形成的光子带隙，二维光子晶体光反射部(125)设置于二维光子晶体光放大部(123)的周围，具有反射部光子带隙述规定的点具有能带端的2个光子能带之间形成的光子带隙，其中，放大部光子带隙(15)的能量范围与反射部光子带隙(16)的能量范围不同且有一部分重叠。(16)，该反射部光子带隙(16)是在倒易空间的所

公开(公告)号：CN119836718A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202380061567.7

申请日：2023-08-24

Applicant: 国立大学法人京都大学

Inventor： 野田进 ,  吉田昌宏 ,  M·德佐萨 ,  井上卓也

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/11 ,  H01S5/18

Abstract: 提供一种能够使激光束的截面中的光的强度分布接近均匀的二维光子晶体激光器。二维光子晶体激光器(10)具备：活性层(11)；二维光子晶体层(12)，其设置在活性层(11)的一个面侧，在板状的母材(121)内周期性地二维状地配置有折射率与母材(121)的折射率不同的异折射率区域(122)；以及第一电极(171)和第二电极(172)，该第一电极(171)和第二电极(172)以在层叠方向上夹着活性层(11)和二维光子晶体层(12)的方式设置，其中，第一电极(171)具有开口(175)，第二电极(172)的外切圆向第一电极(171)的投影(1721)位于开口(175)内，第一电极(171)的开口(175)的周围的至少一部分伸出到投影(1721)内。

公开(公告)号：CN118901170A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202380029114.6

申请日：2023-03-14

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  斯坦雷电气株式会社

Inventor： 野田进 ,  井上卓也 ,  佐藤一树 ,  藤原崇子 ,  江本溪 ,  小泉朋朗

IPC: H01S5/11 ,  H01S5/185

Abstract: 具备透光性的基板、n型半导体层、活性层、p型半导体层、包含于n型半导体层的光子晶体层空孔层、设在p型半导体层上且具有反射面的光反射层、设在反射面和p型半导体层间的透光性导电体层。在基板背面具有光出射面，空孔层具有衍射面，衍射面是使在空孔层内形成驻波的光向与空孔层正交的方向衍射时的波源，具有相互减弱区域和相互增强区域，在该相互减弱区域中，将衍射面与反射面的间隔距离设置成从衍射面向光出射面侧衍射的第一衍射光与从衍射面经光反射层侧衍射并经反射面反射的第二衍射光的干涉而生成的干涉光的光强度比第一衍射光的光强度小；在相互增强区域中，将衍射面与反射面的间隔距离设置成干涉光的光强度比第一衍射光的光强度大。

公开(公告)号：CN116897478A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202280017173.7

申请日：2022-02-24

Applicant: 国立大学法人京都大学

Inventor： 野田进 ,  M·德佐萨 ,  坂田谅一 ,  石崎贤司 ,  井上卓也 ,  吉田昌宏

IPC: H01S5/11

Abstract: 二维光子晶体激光器具备：一对电极(第一电极(171)、第二电极(172))；活性层(11)，其设置在所述一对电极之间，通过被从所述电极注入电流而产生规定波长的光；以及二维光子晶体层(12)，其设置在所述一对电极中的任一方与活性层(11)之间，具有板状的母材(121)以及配置于母材(121)的折射率与母材(121)的折射率不同的多个异折射率区域(122)，其中，所述多个异折射率区域(122)以相对于以与所述规定波长对应的周期周期性地配置于所述母材的二维晶格的各晶格点偏移了各不相同的偏移量的方式配置、和/或以各不相同的面积配置于所述各晶格点，所述多个异折射率区域(122)各自的偏移量和/或面积以由互不相同的多个周期叠加而成的复合调制周期进行调制，使用向量r↑、向量kn↑、幅度An以及相位exp(iαn)示出的调制相位ψ(r↑)用式(1)来表示，向量r↑表示所述二维晶格的各晶格点的位置，向量kn↑表示倾斜角和/或方位角互不相同的n(n为2以上的整数)束的激光束各自的该倾斜角和该方位角的组合，幅度An和相位exp(iαn)是针对n的每个值确定的，n的每个值的所述幅度An和/或相位exp(iαn)至少在两个不同的n值下互不相同。#imgabs0#

公开(公告)号：CN119301830A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202380043634.2

申请日：2023-06-02

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  斯坦雷电气株式会社

Inventor： 野田进 ,  井上卓也 ,  小泉朋朗 ,  江本溪

IPC: H01S5/11 ,  H01S5/183

Abstract: 本发明的面发射激光元件具有：第一半导体层，其设置在透光性基板上；有源层，其在第一半导体层上；第二半导体层，其在有源层上；光子晶体层，其包含于第一半导体层，并具备在与有源层平行的面内具有二维周期性地配置的气孔；以及光反射层，其设置在第二半导体层上，并具有反射面。基板的背面具有光射出面，光子晶体层具有衍射面，该衍射面是将固定的光向与光子晶体层正交的方向衍射时的波源，衍射面与反射面的隔开距离被设置为，使从衍射面向光射出面侧衍射的第一衍射光与从衍射面向光反射层侧衍射并被反射面反射的第二衍射光之间的干涉所产生的干涉光的光强度小于第一衍射光的光强度。

公开(公告)号：CN115868090A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202180046421.6

申请日：2021-07-01

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  斯坦雷电气株式会社

Inventor： 野田进 ,  井上卓也 ,  江本渓 ,  小泉朋朗

IPC: H01S5/18

Abstract: 本发明具有：第一半导体层，其嵌入具有气孔的光子晶体层而形成，该气孔具有二维周期性地配置在与光子晶体层平行的面内的形成区域内；有源层，其形成在第一半导体层上；第二半导体层，其形成在有源层上；以及台面形状的台面部，其形成于第二半导体层的表面。台面部在从垂直于光子晶体层的方向观察时形成在气孔的形成区域的内侧。