公开(公告)号：CN111819700B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN201980017341.0

申请日：2019-03-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 清家崇广 ,  G·费拉拉

IPC: H10K30/20 ,  H10K30/60 ,  H10K30/85 ,  H10K85/20 ,  H10K85/60 ,  H10K85/10

Abstract: 本发明提高光电转换元件(10)的比探测率。一种光电转换元件，其包含：一对电极(12、16)；设置于一对电极间的活性层(14)；以及设置于活性层与所述一对电极中的至少一个电极之间的中间层(13、15)，中间层的与活性层接合的面的表面粗糙度的绝对值为大于0.22nm且小于1.90nm的值，活性层的厚度为350nm以上且800nm以下。

公开(公告)号：CN115336022A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180024405.7

申请日：2021-03-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： G·费拉拉 ,  荒木贵史 ,  大关美保

IPC: H01L51/42 ,  H01L31/10 ,  H01L27/30

Abstract: 本发明的课题在于降低暗电流。解决手段为一种光检测元件(10)，其具备阳极(12)、阴极(16)、以及设于该阳极与该阴极之间且包含p型半导体材料和n型半导体材料的有源层(14)，从上述n型半导体材料的HOMO的能级的绝对值减去p型半导体材料的HOMO的能级的绝对值而得到的值为0.35以下。此外，上述n型半导体材料的HOMO与p型半导体材料的HOMO之差优选为0～0.10eV，p型半导体材料优选为包含下式(I)所表示的结构单元的高分子化合物。(式(I)中，Ar1和Ar2表示具有或不具有取代基的3价芳香族杂环基或者具有或不具有取代基的3价芳香族碳环基，Z表示下述式(Z‑1)～式(Z‑7)所表示的基团。)

公开(公告)号：CN115336021A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180024384.9

申请日：2021-03-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： G·费拉拉 ,  荒木贵史 ,  大关美保

IPC: H01L51/42 ,  H01L31/10 ,  H01L27/30

Abstract: 本发明的课题在于提供暗电流比小的光检测元件。解决手段为一种光检测元件，其包含第一电极、第二电极、以及设置于上述第一电极与上述第二电极之间的有源层，上述有源层包含p型半导体材料和n型半导体材料，上述p型半导体材料包含具有‑5.45eV以下的HOMO的聚合物，上述n型半导体材料包含非富勒烯化合物。优选上述p型半导体材料中包含的上述聚合物包含具有给电子性的结构单元DU和具有受电子性的结构单元AU，上述非富勒烯化合物包含具有给电子性的部分DP和具有受电子性的部分AP。

公开(公告)号：CN119907823A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202380066966.2

申请日：2023-09-21

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 坚木友也 ,  猪口大辅 ,  G·费拉拉 ,  中谷智也 ,  山田贵司 ,  横井优季 ,  荒木贵史

IPC: C08G85/00 ,  C08G61/12 ,  C08L65/00 ,  C08L101/12 ,  C09D5/24 ,  C09D11/102 ,  C09D165/00 ,  H10K30/50 ,  H10K30/60 ,  H10K39/00

Abstract: 本发明的课题在于提供一种抑制光电转换元件的暗电流的聚合物。本发明涉及一种聚合物，其为包含具有主链和侧链的结构单元的聚合物，其中，以上述聚合物中包含的上述结构单元的摩尔比率加权的上述侧链的式量的加权平均为160以上，吸收限强度为0.08以下。

公开(公告)号：CN112771685B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN201980064003.2

申请日：2019-09-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： G·费拉拉 ,  西美树

IPC: H10K30/85 ,  H10F39/12 ,  H10K39/32 ,  H10K85/20 ,  H10K30/60 ,  H10K101/40

Abstract: 本发明降低暗电流比。光电转换元件(10)包含：阳极(16)；阴极(12)；设置于该阳极和阴极间的有源层(14)；以及设置于有源层和阴极间的至少一层电子传输层(13)，电子传输层包含绝缘性材料和半导体材料，电子传输层的功函数与阴极的功函数之差为0.88eV以上。此外，该光电转换元件中，上述有源层包含p型半导体材料和n型半导体材料，上述电子传输层的功函数Wf1和上述n型半导体材料的LUMO的能级(LUMO)满足下述式(2)：|LUMO|－Wf1≥0.06eV(2)。

公开(公告)号：CN115336023A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180024466.3

申请日：2021-03-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： G·费拉拉 ,  荒木贵史 ,  大关美保

IPC: H01L51/42 ,  H01L31/10 ,  H01L27/30

Abstract: 本发明的课题在于提高比检测率。解决手段为一种光检测元件(10)，其具备阳极(12)、阴极(16)、以及设置于该阳极与该阴极之间且包含p型半导体材料和n型半导体材料的有源层(14)，从n型半导体材料的HOMO的能级的绝对值减去上述p型半导体材料的HOMO的能级的绝对值而得到的值(ΔEA)与从上述n型半导体材料的LUMO的能级的绝对值减去上述p型半导体材料的LUMO的能级的绝对值而得到的值(ΔEB)之和的值(ΔEA+ΔEB)为大于0且小于0.88的范围。

公开(公告)号：CN112514100A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980050374.5

申请日：2019-07-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： G·费拉拉 ,  清家崇广

IPC: H01L51/42 ,  H01L27/146 ,  H01L27/30

Abstract: 一种暗电流降低、且外量子效率提高的光检测元件。光检测元件包含：阳极；阴极；和设置于该阳极与该阴极之间且包含p型半导体材料和n型半导体材料的有源层，有源层的厚度为800nm以上，与有源层的阴极侧表面相接的面的功函数减去n型半导体材料的LUMO的绝对值而得到的值为0.0～0.5eV。此外，上述n型半导体材料具有2.0eV～10.0eV的LUMO的绝对值。