公开(公告)号：CN101410993A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780010675.2

申请日：2007-03-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 松浦真吾 ,  田渊智也 ,  形部浩介 ,  森裕树 ,  三宅彻 ,  作本大辅

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H05B33/02 ,  F21V13/04 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83951

Abstract: 本发明提供一种发光装置，其中，发光装置的发光亮度得到提高。该发光装置包括：具有由光反射面(1r)及底面(1u)构成的开口部(1p)的基体(1)、安装于开口部(1p)的底面(1u)上的发光元件(2)、覆盖发光元件(2)的透光性部件(3)、和设于透光性部件(3)上的光学部件(4)构成。透光性部件(3)自开口部(1p)的光反射面(1r)离开，且被设于开口部(1p)的底面(1u)上。

公开(公告)号：CN1993075A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200580025499.0

申请日：2005-07-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 安岛弘美 ,  形部浩介

IPC: A61B1/00 ,  A61B1/06 ,  F21V8/00 ,  H01L33/00 ,  F21W131/20 ,  F21Y101/02

CPC classification number: A61B1/0669 ,  A61B1/0646 ,  A61B1/0653 ,  A61B1/0684

Abstract: 本发明公开一种光源装置，其中备有：半导体发光元件，其输出光；波长变换构件，其用于对从所述半导体发光元件输出的光进行受光，并输出比该光波长更长的光；波长选择构件，其位于所述半导体发光元件和所述波长变换构件之间，并具有如下波长特性：即对应于所输入的光的波长该光的反射率和透过率不同。