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公开(公告)号:CN105408289A
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201480042433.1
申请日:2014-07-30
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/591 , C04B35/584
CPC classification number: C04B35/591 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3272 , C04B2235/3873 , C04B2235/428 , C04B2235/5409 , C04B2235/6565 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , C04B2235/9607
Abstract: 本发明提供腐蚀环境下的腐蚀少、且即使暴露于腐蚀环境下也具有高的机械特性的氮化硅质烧结体及使用其的耐蚀性部件、滑动构件以及制纸机械用部件。本发明的氮化硅质烧结体在作为氮化硅的结晶间的晶界相中,具有包含钙、铝和硅的氧氮化物的结晶,构成氧氮化物的结晶的钙、铝和硅中的各自的质量比率为:钙为1.3~32.0%、铝为0.1~25.0%、余量为硅。
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公开(公告)号:CN104684870A
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201380050338.1
申请日:2013-09-27
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/584 , F27D11/02 , H05B3/14
CPC classification number: C04B35/584 , C04B35/591 , C04B35/5935 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/6565 , C04B2235/6587 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/94 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , F27D11/02 , F27D99/0006 , H05B3/14
Abstract: 本发明提供一种导热率高的氮化硅质烧结体及加热装置以及吸附装置。本发明的氮化硅质烧结体具有氮化硅的结晶、MgRE4Si3O13的结晶(RE为稀土元素)、和REMgSi2O5N的结晶,因此具有高导热率。另外,具备包含这样的氮化硅质烧结体的保护管的加热装置能够高效传导加热器的热。而且,具备包含这样的氮化硅质烧结体的吸附构件的吸附装置能够将被吸附体所具有的热高效地散热。
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