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公开(公告)号：CN102272937A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080002210.4
申请日：2010-03-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置的制法，其包括：向含有包含I-B族元素、III-B族元素和硫属元素的单源前体的有机溶剂中，添加III-B族元素的硫属化物粉末，制作半导体形成用溶液的工序；使用所述半导体形成用溶液来形成含有I-III-VI族化合物的半导体的工序。
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