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公开(公告)号：CN115623822A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211342642.0
申请日：2022-10-28
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H10K59/122 , H10K59/121 , H10K71/00
Abstract: 本申请提供了一种显示基板、显示面板，涉及显示技术领域，该显示基板包括多个子像素，子像素包括发光元件，发光元件包括发光功能层和位于发光功能层的两侧的第一电极和第二电极，第二电极位于发光功能层远离衬底的一侧，发光功能层包括多个发光功能子层；多个像素隔断部，像素隔断部位于相邻的两个子像素之间，发光功能子层中的至少一个在像素隔断部位置处断开；其中，像素隔断部远离衬底的表面到衬底之间的最小距离小于第二电极靠近衬底的表面到衬底之间的最小距离。该显示基板能够在不影响第二电极的结构的情况下，避免相邻两个子像素的发光功能层中的载流子发生迁移，改善相邻两个子像素之间的串扰，从而提高显示效果。
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公开(公告)号：CN115458576A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211294015.4
申请日：2022-10-21
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本公开实施例提供了一种显示面板、电子设备及显示面板的制备方法，显示面板包括：阳极和第一辅助电极通过像素界定层限定位置，第一辅助电极在第一平面上的正投影环绕住阳极在第一平面上的正投影，第一平面与第一电极层所在平面平行；第一辅助电极上设置有第二辅助电极和第三辅助电极，第三辅助电极与第一辅助电极连接，第三辅助电极中嵌入有第二辅助电极，第二辅助电极为表面粗糙度大于第一粗糙度的第二导电材料，第三辅助电极为表面粗糙度小于第一粗糙度的第三导电材料；第三辅助电极上设置的发光材料层中嵌入有第二辅助电极，第二电极层中嵌入有第二辅助电极；第一辅助电极和第二电极层与第一电压信号连接。
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公开(公告)号：CN115274712A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210975633.9
申请日：2022-08-15
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 一种显示背板及其制备方法、显示装置。显示背板包括基底，基底划分为像素区和透光区，显示背板包括：位于像素区的驱动结构层，设置在基底上，包括第一类晶体管和第二类晶体管；位于像素区和透光区的第一隔离层，设置在驱动结构层远离基底的一侧，第一隔离层在基底上的正投影包含第二类晶体管在基底上的正投影、且和第一类晶体管在基底上的正投影至少部分交叠；位于像素区的导电图案层，设置在第一隔离层远离基底的一侧；位于像素区的第二隔离层，设置在导电图案层远离基底的一侧，第二隔离层在基底上的正投影包含第二类晶体管和第一类晶体管在基底上的正投影；第一隔离层和第二隔离层的材料包括有机硅氧烷材料，且远离基底一侧的表面为平面。
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公开(公告)号：CN114156325A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111443749.X
申请日：2021-11-30
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 一种显示基板、显示装置及显示基板的制备方法，涉及显示技术领域，所述显示基板包括多个显示单元，所述显示单元包括透明区和发光区，所述发光区包括多个子像素，所述子像素包括像素驱动电路和发光器件；所述发光区包括第一区域和第二区域，所述发光区的多个子像素的像素驱动电路设置在所述第一区域，所述第二区域设置为能够发光且在不发光时具有透明度。本公开实施例的显示基板可以提高显示基板的亮度及透明度。
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公开(公告)号：CN113707703A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111017020.6
申请日：2021-08-31
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本公开实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，以解决相关技术中透明区中光可透过的面积减小而导致透明显示的效果降低的问题。该显示面板包括衬底，透明导电层设置于衬底上，透明导电层包括位于发光区的辅助电极和位于透明区的连接部，辅助电极和连接部电连接；透明间隔层设置于透明导电层远离衬底的一侧，透明间隔层包括位于发光区的第一支撑部和位于透明区的第二支撑部，第一支撑部和第二支撑部之间形成隔离槽；发光器件包括第一电极层、发光功能层和第二电极层，第一电极层位于发光区，发光功能层在隔离槽处断开，第二电极层透明，且穿过隔离槽与连接部电连接。本公开实施例提供的显示面板用于显示装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112864174A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110038504.2
申请日：2021-01-12
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L21/77 , B82Y40/00
Abstract: 本申请公开了一种TFT阵列基板及其制备方法、显示装置，其中TFT阵列基板，包括源极和漏极，所述源极和漏极之间形成凸起型结构，所述凸起型结构内部设置有第一栅极，所述源极和所述漏极在所述第一栅极平面的投影与所述第一栅极未交叠或接近未交叠。本申请实施例提供的TFT阵列基板，通过在漏极和源极之间形成向上的凸起型结构，将顶栅设置于凸起型结构内，控制顶栅与源漏极之间的覆盖面积，控制寄生电容、寄生电压的产生。此设计可以适用于窄通道或者宽通道的情形；同时，此设计还适用双栅结构，通过适用双栅来增大关态电流或者通过最大限度减小寄生电容或者寄生电压的产生从而增加通态电流。
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公开(公告)号：CN109728060B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910008069.1
申请日：2019-01-04
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 本发明公开了一种阵列基板、电致发光面板及显示装置，以解决现有技术的大尺寸OLED显示面板存在制作工序较多，结构较为复杂的问题。所述阵列基板，包括：衬底基板、位于所述衬底基板之上的多个光传感单元、位于所述光传感单元之上的平坦层、以及位于所述平坦层之上的连接电极层；其中，每一所述光传感单元包括依次位于所述衬底基板之上的第一电极、光敏层、以及第二电极；其中，所述连接电极层通过贯穿所述平坦层的过孔与所述第二电极连通。
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公开(公告)号：CN106935659B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201710330483.5
申请日：2017-05-11
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板以及显示装置。所述薄膜晶体管包括：设置在衬底基板上的有源层和设置在所述有源层上的栅极叠层，其中，所述栅极叠层包括：设置在所述有源层上的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上的栅极电极；设置在所述栅极电极上的覆盖层，所述覆盖层比所述栅极电极更容易捕获氧原子。
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公开(公告)号：CN110890481A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911200515.5
申请日：2019-11-29
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置。所述显示基板的制备方法包括：形成阳极；在所述阳极上形成驱动结构层；翻转上述包括阳极和驱动结构层的结构，在所述阳极上形成发光结构层。本实施例提供的方案，由于驱动结构层在阳极上方完成，做完驱动结构层再翻转，漏电极与阳极连接处是一个小孔，漏电极与阳极连接的地方可以用于显示，因此提高了空间利用率，进一步提高了显示开口率及分辨率。
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公开(公告)号：CN110383484A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201980000721.3
申请日：2019-05-23
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本公开涉及显示面板。显示面板可以包括发射层、与发射层相对的彩色层、以及位于发射层与彩色层之间的光栅。彩色层可以包括多个滤色器和位于多个滤色器之间的多个黑矩阵。光栅在彩色层上的正投影可落入所述多个黑矩阵中的一个在彩色层上的正投影之内。
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