公开(公告)号：CN114019764B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202111240495.1

申请日：2021-10-25

Applicant: 之江实验室 ,  浙江大学

Inventor： 匡翠方 ,  刘秋兰 ,  汤孟博 ,  朱大钊 ,  张智敏 ,  徐良 ,  刘旭

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种超分辨激光直写与成像方法与装置，该装置包括三个光源，分别为引发光刻胶产生聚合反应的激发光光源，激发光刻胶中发光的荧光染料分子从基态到激发态的激发光，抑制光刻胶聚合并同时使荧光染料分子产生受激辐射的抑制光光源或损耗光光源，抑制光与损耗光为同一个光源。其中，引发光刻胶聚合的激发光经过准直最后通过物镜在样品面上汇聚成圆形实心光斑；抑制光经过准直后，再通过相位掩膜调制相位，最后由物镜汇聚到样品面上形成环形空心光斑；光刻胶中荧光染料的激发光经过准直最后通过物镜在样品面上汇聚形成圆形实心光斑。本发明可以实现纳米结构刻写完成后直接的光学成像，无需进行电镜成像，使操作更为简单。

公开(公告)号：CN114019764A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202111240495.1

申请日：2021-10-25

Applicant: 之江实验室 ,  浙江大学

Inventor： 匡翠方 ,  刘秋兰 ,  汤孟博 ,  朱大钊 ,  张智敏 ,  徐良 ,  刘旭

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种超分辨激光直写与成像方法与装置，该装置包括三个光源，分别为引发光刻胶产生聚合反应的激发光光源，激发光刻胶中发光的荧光染料分子从基态到激发态的激发光，抑制光刻胶聚合并同时使荧光染料分子产生受激辐射的抑制光光源或损耗光光源，抑制光与损耗光为同一个光源。其中，引发光刻胶聚合的激发光经过准直最后通过物镜在样品面上汇聚成圆形实心光斑；抑制光经过准直后，再通过相位掩膜调制相位，最后由物镜汇聚到样品面上形成环形空心光斑；光刻胶中荧光染料的激发光经过准直最后通过物镜在样品面上汇聚形成圆形实心光斑。本发明可以实现纳米结构刻写完成后直接的光学成像，无需进行电镜成像，使操作更为简单。