公开(公告)号：CN101419912B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200810171190.8

申请日：2008-10-22

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 青木真登 ,  守山实希

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明涉及制造第III族氮化物基化合物半导体的方法。本发明的目的在于从GaN锭块切割的GaN衬底的表面上移除微划痕。本发明涉及一种用于实施GaN衬底的表面处理的方法，包括在含有三甲基镓、氨和氢的气氛中加热表面。优选地，三甲基镓的进料速率为150μmol/min以上，三甲基镓的进料速率与氨的进料速率之比(V/III)为1200～4000，加热温度为1000℃～1250℃。另外，表面处理的温度调节为高于后续形成的GaN生长温度，三甲基镓的进料速率小于生长时的进料速率。衬底上RMS粗糙度等于或小于1.3nm，可以获得台阶状况优异的衬底。

公开(公告)号：CN101419912A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810171190.8

申请日：2008-10-22

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 青木真登 ,  守山实希

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明涉及制造第III族氮化物基化合物半导体的方法。本发明的目的在于从GaN锭块切割的GaN衬底的表面上移除微划痕。本发明涉及一种用于实施GaN衬底的表面处理的方法，包括在含有三甲基镓、氨和氢的气氛中加热表面。优选地，三甲基镓的进料速率为150μmol/min以上，三甲基镓的进料速率与氨的进料速率之比(V/III)为1200～4000，加热温度为1000℃～1250℃。另外，表面处理的温度调节为高于后续形成的GaN生长温度，三甲基镓的进料速率小于生长时的进料速率。衬底上RMS粗糙度等于或小于1.3nm，可以获得台阶状况优异的衬底。