一种微型原子气室的制备方法
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116101970A

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202211090973.X

    申请日:2022-09-07

    Abstract: 本发明公开的一种微型原子气室的制备方法,属于原子气室制备技术领域。本发明主要基于CMOS平台兼容的MEMS深硅刻蚀方法实现微型原子气室腔体,采用键合的方式实现微型原子气室的封闭,采用微通道连通的非对称双气室结构避免微型原子气室的直接填充,采用加热和紫外光辐照的方式实现碱金属单质的充分释放。最后结合激光退火方法进行微通道局部熔融实现微通道的封闭,通过划片等方式实现较大气室与微型原子气室的分离。本发明能够规避微型原子气室的填充难题以及工艺波动问题;降低微型原子气室的制备难度,提升微型原子气室参数的均匀性,使得基于MEMS工艺的微型原子气室更容易实现量产。

    一种低损耗氮化硅波导的制备方法

    公开(公告)号:CN114400504A

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202111485430.3

    申请日:2021-12-07

    Abstract: 本发明公开的一种低损耗氮化硅波导的制备方法,属于硅基光子器件制备技术领域。本发明在硅片上生长厚的二氧化硅膜作为下包层;在下包层上通过光刻刻蚀实现目标波导槽的图形转移;进行高温退火实现二氧化硅回流;使用各向异性的沉积方法沉积氮化硅薄膜;使用化学气相沉积生长芯层保护层氧化硅薄膜;使用化学机械平坦化去除高处的氮化硅薄膜,槽内的氮化硅作为波导芯层;进行高温退火改善氮化硅的形貌和光学损耗;生长厚的二氧化硅薄膜作为上包层;完成低损耗氮化硅波导的制备。本发明使用与CMOS平台兼容的方法,利用各向异性填槽和化学机械研磨方法,避免对波导芯层的刻蚀和直接研磨,从而避免芯层表面粗糙度和损伤带来的损耗。

    一种基于微气室双吸收谱的快速测温方法及装置

    公开(公告)号:CN119779507A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411702615.9

    申请日:2024-11-26

    Abstract: 一种基于微气室双吸收谱的快速测温方法及装置,属于激光吸收谱传感领域。本发明的装置包括光源模块、线性扫频控制模块、测温模块、信号采集及温度解算模块。本发明利用扫描源、光纤马赫‑曾德尔干涉仪和反馈控制电路保证光学扫频线性度,通过声光调制器产生两条频差已知且携带温度信息的两条吸收谱线,基于时域上频差固定的两条吸收谱上的同一个吸收峰时间差对应声光调制器驱动频率,即ΔT=T1‑T2对应声光调制器驱动频率f,将吸收谱由时域映射至频域,再通过提取频域吸收谱上与温度有关的参数计算得到气室所处温度。本发明能够解决传统多普勒展宽测温系统复杂难题,具有测量体积小、成本低、速度快、稳定性高、适应性强等优点。

    一种实现激光扫频过程中频率和功率同步稳定装置

    公开(公告)号:CN116499969A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310118025.0

    申请日:2023-02-15

    Abstract: 本发明公开的一种实现激光扫频过程中频率和功率同步稳定装置,属于精密光谱测量技术中的光源调控领域。本发明包括参考光源稳频模块、激光拍频扫频模块、探测光功率稳定模块。参考光源稳频模块将窄线宽激光器输出的参考光锁定到气室中的原子吸收峰上,作为扫频过程中的参考标准频率;激光拍频扫频模块通过探测光与参考光拍频的方式并施加反馈控制实现探测光频率稳定,通过分段扫描以及调控两束光拍频值实现探测光扫频功能;探测光功率稳定模块提取部分探测光用于功率稳定。本发明通过参考光源稳频模块、激光拍频扫频模块、探测光功率稳定模块三个模块的协同完成扫频范围和间隔精确可控的扫频过程,并且保证扫频过程中频率和功率的同步稳定。

    一种混合集成的微腔光频梳芯片结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN114637157A

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN202210151484.4

    申请日:2022-02-17

    Abstract: 本发明公开的一种混合集成的微腔光频梳芯片结构及其制备方法,属于集成光电器件制备和芯片化计量技术领域。本发明包括微腔光频梳芯片衬底、激光器、单边带调制器、强度调制器和微环谐振腔。本发明通过调节激光器芯片、单边带调制器芯片、强度调制器芯片和微环谐振腔芯片的衬底厚度,将所述激光器芯片的有源区、单边带调制器芯片的波导层、强度调制器芯片的波导层和微环谐振腔芯片的波导层设置在同一高度,且截面具有相同的尺寸。将所述激光器芯片、单边带调制器芯片、强度调制器芯片和微环谐振腔芯片通过键合的方式键合到所述混合集成的微腔光梳芯片的衬底上,实现混合集成的微腔光频梳芯片结构制备。本发明是光钟、测距系统等的重要组成部分。

    一种微腔芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN114137659A

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN202111291758.1

    申请日:2021-11-02

    Abstract: 本发明提供一种微腔芯片及其制备方法,其中,微腔芯片的制备方法包括:准备晶圆衬底;在衬底上进行低折射率材料的下包层生长;在下包层中生长高折射率材料的第一芯层;在所述第一芯层中按照预定的版图进行波导结构和微腔结构中的一个的光刻刻蚀;在所述第一芯层上进行低折射率材料的第一上包层生长;使用化学机械抛光对晶圆进行平坦化;在所述第一上包层上进行控制耦合间距的低折射率材料的间隔包层生长;在所述间隔包层上生长高折射率材料的第二芯层;在所述第二芯层中按照预定的版图进行波导结构和微腔结构中的另一个的光刻刻蚀;在所述第二芯层上进行低折射率材料的第二上包层生长。本发明能够解决现有技术昂贵复杂并且引入额外噪声的问题。

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