一种径向型薄膜热电器件及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119183343A

    公开(公告)日:2024-12-24

    申请号:CN202411305866.3

    申请日:2024-09-19

    Abstract: 本发明涉及一种径向型薄膜热电器件及其制备方法和应用,所述径向型薄膜热电器件包括衬底,在所述衬底表面外围区域层叠设置的热电臂阵列层、防扩散层和电极层,以及位于所述衬底中心区域的激光吸收层;所述热电臂阵列层、防扩散层和电极层均位于所述激光吸收层的水平方向的四周,所述热电臂阵列层包括热电臂,所述热电臂围绕激光吸收层的四周呈放射状排布;所述电极层和防扩散层位于热电臂阵列层的两侧边缘,所述热电臂、电极层与防扩散层进行接触连接。本发明提供的径向型薄膜热电器件中,激光吸收层能够吸收激光产生的热量,经衬底对热量进行传递,通过各部件的协同作用,能够对于激光光束放射状能量进行热电转换,以实现激光无线能量的传输。

    一种锆铪氧化物陶瓷及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN116217227B

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202310048067.1

    申请日:2023-01-31

    Abstract: 本发明提供一种锆铪氧化物陶瓷及其制备方法和用途,所述制备方法包括以下步骤:(1)将锆源、铪源、稳定剂和溶剂混合,得到混合液;(2)将所述混合液和沉淀剂混合,进行反应,得到沉淀物;(3)将所述沉淀物进行重结晶,干燥并煅烧后得到粉体,对所述粉体进行烧结,得到所述锆铪氧化物陶瓷。本发明提供的制备方法成本较低,可以制备得到具有高相变温度的锆铪氧化物陶瓷,有效提高了陶瓷的高温稳定性和服役温度,同时采用该方法制备的锆铪氧化物陶瓷还兼具有较高的硬度和较低的热导率。

    一种激光电池阵列芯片
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119997622A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202510466091.6

    申请日:2025-04-15

    Inventor: 黄晓旭 张伟刚

    Abstract: 本发明公开了一种激光电池阵列芯片,包括衬底,以及位于衬底一侧表面的激光电池阵列和电极连接部;激光电池阵列包括至少两个电池单元,各电池单元包括自下而上依次层叠的第一结子电池层、第二结子电池层和第三结子电池层;激光电池阵列芯片的工作波长为850nm‑1200nm,第一结子电池层、第二结子电池层和第三结子电池层均包括自下而上依次层叠设置的渐变缓冲层、光学间隔层、透明层、基层、发射层、窗口层、接触层和栅极。利用上述结构,相较于二结子电池层,提高了芯片的能量转换效率和单位能量的输出密度,降低了芯片的激光热效应。

    一种中空磁控溅射阴极、磁控溅射镀膜装置及镀膜方法

    公开(公告)号:CN119121163B

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411596459.2

    申请日:2024-11-11

    Abstract: 本发明涉及一种中空磁控溅射阴极、磁控溅射镀膜装置及镀膜方法,所述中空磁控溅射阴极包括屏蔽外壳,以及位于所述屏蔽外壳内部设置的靶筒、磁铁单元和水冷单元;所述屏蔽外壳为中空的管式结构;所述靶筒为内部具有中空区域的环形结构,其位于靠近所述屏蔽外壳的中轴线的一侧;所述磁铁单元包括至少三个磁体组,阵列排布于所述靶筒远离所述中空区域的一侧与所述屏蔽外壳之间;所述水冷单元对所述磁铁单元进行嵌套。本发明提供的中空磁控溅射阴极通过在屏蔽外壳内部设置靶筒、磁铁单元和水冷单元以及对各部件结构及其位置关系的设计,实现了磁控溅射阴极对多维复杂结构部件表面的均匀镀膜,优化了阴极的镀膜质量以及提高了阴极的镀膜效率。

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