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公开(公告)号：CN103191707B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310153648.8
申请日：2013-04-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种双温区还原法制备黑色二氧化钛的方法，将二氧化钛和高活性金属隔开一定距离地置于具有负压的密闭系统中，分别将所述二氧化钛和高活性金属加热至不同的温度热处理规定的时间，以使所述密闭系统的中的氧分压低于二氧化钛的平衡氧分压从而所述二氧化钛被还原而得到黑色二氧化钛；其中，将所述高活性金属加热至第一温度，将所述二氧化钛加热至低于所述第一温度的第二温度，受热的高活性金属与所述密闭系统的中氧气反应从而降低所述密闭系统的氧分压进而使所述密闭系统的氧分压低于二氧化钛的平衡氧分压。
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公开(公告)号：CN102485647B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201010570879.5
申请日：2010-12-02
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B31/04
CPC classification number: Y02P20/134
Abstract: 本发明公开了一种硼掺杂石墨烯的制备方法。其特征在于利用活泼金属与低碳卤代烃、硼源反应，在特定反应条件下实现原位硼掺杂石墨烯。与化学汽相沉积和电弧放电法制备石墨烯相比，本发明操作简单，安全无毒，成本低廉，可得到缺陷少、导电性好、质量高的硼掺杂石墨烯。本发明制备得到的石墨烯可在光电器件如铜铟镓硒、碲化镉、染料敏化等太阳能电池，平板显示、超级电容器、场发射材料、锂离子电池等领域中有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102583340B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210019931.7
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明是提供一种低温气相还原的高导电石墨烯材料的制备方法。制备方法利用具有高温区和低温区的多温区加热设备，通过将具有氧化石墨烯的低温区和具有还原剂的高温区加热至一定的温度，还原出高导电石墨烯。本发明的高导电石墨烯材料的制备方法，在低温条件下，实现氧化石墨烯在较低的温度下快速、高效还原，低温气相反应保持了氧化石墨烯较完整的结构，从而制备出高导电的石墨烯粉或石墨烯纸和高透光、高导电的石墨烯薄膜。本发明制备的石墨烯材料导电性、力学强度和柔韧性良好，可有效地解决现有高温热处理或低温液相化学还原方法破坏石墨烯结构的瓶颈问题。
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公开(公告)号：CN103191707A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310153648.8
申请日：2013-04-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种双温区还原法制备黑色二氧化钛的方法，将二氧化钛和高活性金属隔开一定距离地置于具有负压的密闭系统中，分别将所述二氧化钛和高活性金属加热至不同的温度热处理规定的时间，以使所述密闭系统的中的氧分压低于二氧化钛的平衡氧分压从而所述二氧化钛被还原而得到黑色二氧化钛；其中，将所述高活性金属加热至第一温度，将所述二氧化钛加热至低于所述第一温度的第二温度，受热的高活性金属与所述密闭系统的中氧气反应从而降低所述密闭系统的氧分压进而使所述密闭系统的氧分压低于二氧化钛的平衡氧分压。
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公开(公告)号：CN102995119A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110266167.9
申请日：2011-09-08
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明属于纳米材料领域，涉及一种新型的大尺寸六角形双层石墨烯单晶畴及其制备方法。所述制备方法包括采用金属单质及其多元合金作为催化剂，利用化学气相沉积法制备六角形石墨烯单晶畴。石墨烯单晶畴为双层结构，其质量优异，双层覆盖率90％以上。本发明工艺简单，过程易控制，适合于晶体管和光调制器等微纳米电子及光子器件领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102586869A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210019901.6
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明的课题是提供一种三维石墨烯管及其制备方法。石墨烯管的直径为10nm～5mm，长度为50nm～5mm，所述石墨烯的层数为1～100。方法包括：以金属线或金属丝作为催化剂模板通过化学气相沉积法使碳源在所述金属线或金属丝的外表面直接生成石墨烯覆层形成石墨烯/金属线或金属丝复合结构的工序A；通过刻蚀去除金属线或金属丝的工序B，从而获得三维石墨烯管。本发明提供的石墨烯管，具有优异的导电性能和耐腐蚀性。本发明提供的工艺简单，过程易控制，导电性能优异，制备成本低，适合于太阳能器件、储能电池、导电复合材料和耐腐蚀领域。
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公开(公告)号：CN102560415A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210019885.0
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明的课题是提供一种三维石墨烯/金属线或金属丝复合结构及其制备方法，该复合结构是以金属线或金属丝作为催化剂模板通过化学气相沉积法使碳源在所述金属线的外表面直接生成石墨烯覆层而形成的石墨烯/金属线或金属丝复合结构，所述金属线或金属丝的直径为10nm～5000μm，所述石墨烯的层数为1～100。本发明提供的三维石墨烯/金属线或金属丝复合结构、石墨烯管，具有优异的导电性能和耐腐蚀性。本发明提供的工艺简单，过程易控制，导电性能优异，制备成本低，适合于太阳能器件、储能电池、导电复合材料和耐腐蚀领域。
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公开(公告)号：CN110127650B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN201910403912.6
申请日：2019-05-15
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种氮掺杂多孔碳材料及其制备方法和在超级电容器中的应用，该氮掺杂多孔碳材料的制备方法，包括：（1）以无水乙醇作为溶剂，加入镍盐、表面活性剂、氮源、酚醛树脂、正硅酸乙酯和稀盐酸并混合，得到溶胶，所述镍盐为硝酸镍、氯化镍和乙酸镍中的至少一种，所述氮源为双氰胺、氰胺、尿素和吡咯中的至少一种；（2）将所得溶胶静置规定时间后，再经干燥处理，得到凝胶；（3）将所得凝胶在700℃～1100℃下进行热处理后，再经刻蚀和清洗，得到所述氮掺杂多孔碳材料。
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公开(公告)号：CN103219066B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210017879.1
申请日：2012-01-19
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种二维石墨烯与一维纳米线复合的柔性导电薄膜及其制备方法。所述制备方法包括：将石墨烯、纳米线与分散助剂分散到溶剂中，超声震荡，得到分散良好的石墨烯/纳米线溶液，经真空抽滤、干燥后，得到石墨烯/纳米线复合薄膜。所述复合薄膜厚度为10nm?1000μm，有良好的强度和柔性，方块电阻在0.001?3000Ω/sq.范围内，电导率为0.01?5000S/cm。本发明得到的石墨烯/纳米线复合薄膜具有良好的强度、柔性和导电性，厚度可控、形状可剪裁，并且制备过程简单，易于操作，制备成本低，适合于太阳电池、储能、散热、催化、传感及导电复合材料领域。
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公开(公告)号：CN102586869B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201210019901.6
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明的课题是提供一种三维石墨烯管及其制备方法。石墨烯管的直径为10nm～5mm，长度为50nm～5mm，所述石墨烯的层数为1～100。方法包括：以金属线或金属丝作为催化剂模板通过化学气相沉积法使碳源在所述金属线或金属丝的外表面直接生成石墨烯覆层形成石墨烯/金属线或金属丝复合结构的工序A；通过刻蚀去除金属线或金属丝的工序B，从而获得三维石墨烯管。本发明提供的石墨烯管，具有优异的导电性能和耐腐蚀性。本发明提供的工艺简单，过程易控制，导电性能优异，制备成本低，适合于太阳能器件、储能电池、导电复合材料和耐腐蚀领域。
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